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集成电路可靠性试验―盐雾技术研究

作者:时间:2013-11-30来源:网络收藏
大,这时反应速度(腐蚀速度)分两种情况:①当溶解氧不能满足电化学反应的要求时,氧的溶解度对腐蚀速度起主要作用,即腐蚀速度随溶液中氧的浓度的增大而变大。②当溶解氧能满足电化学反应的要求时,腐蚀速度受氧浓度C的影响变小,而主要受温度或浓度的影响,即由于溶解度的增加,温度降低或浓度降低, 使腐蚀速度降低。

  3.4 流速

  在氧浓度、温度、盐浓度一定时,流速的增加,使扩散层厚度δ减小,由公式(5)可知,极限电流密度id变大,所以腐蚀速度增加。再看试验结果表1中的③,流速变大后,电路表面的腐蚀现象增加了,也就是说腐蚀速度是与流速成正比关系的。

  3.5 样品摆放的影响

  从表1④看,腐蚀现象随角度变大而变得严重,我们研究该现象严重的原因。

  图3中左图为样品摆放的位置,右图为盐雾颗粒在盖板上的受力情况。

  下面来看一下盐雾颗粒在样品表面停留的时间。假定颗粒从样品表面盖板的上端向下端流动,设盖板的长度为L,根据图3中右图的颗粒受力情况及动力学原理,得出:

  

集成电路可靠性试验―盐雾技术研究

  从公式(8)中可知,样品偏离垂直方向的角度α与时间t成正比,即当α=0°时,t最小;当α=90°时,t最大,盐雾颗粒在样品表面时间越长,盐沉积在表面盖板上的就越多,对样品的破坏性就越大。当角度为0°时,样品放置会不稳定;角度为90°时,因盐沉积量太大而影响试验的作用。因此,角度在10°-80°比较合适,一般取45°,即可使流速快又可使盐沉积在盖板上不多。该角度便于调制而且样品放置方便。

  

集成电路可靠性试验―盐雾技术研究

  4 结论

  通过以上的试验与结果分析,我们可以认为在温度小于35℃前,腐蚀速度与温度成正比关系;当超过35℃后,腐蚀速度与温度成反比关系;在35℃腐蚀速度达到最大。盐浓度小于3%前,腐蚀速度与浓度成正比关系;当盐浓度超过3%后,腐蚀速度与盐浓度成反比关系;在3%时腐蚀速度达到最大。氧溶解度对腐蚀速度的影响是与温度与盐浓度相关的。采用温度35℃、盐浓度3%进行盐雾试验可以在最短时间并且最有效地反映封装的抗腐蚀能力。样品的摆放偏离垂直方向的角度越大,试验越严酷,越小越宽松,试验时的角度为45°,可以两者兼顾。

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关键词: 集成电路 可靠性

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