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DS1972 EPROM仿真模式,用于保护数据不被意外擦除

作者:时间:2013-12-26来源:网络收藏

,用于保护数据不被意外擦除

是一款1024位的1-Wire® E芯片,存储器分为四个页面,每页256位,采用坚固的iButton®封装。数据先被写入一个8字节暂存器,经校验后复制到E存储器。该器件的特点是四个存储页面相互独立,可以单独进行写保护或进入EPROM,在该模式下,所有位的状态只能从1变成0。通过一条1-Wire总线进行通信,采用标准的1-Wire协议。每个器件都有不能更改的、唯一的64位ROM序列号,由工厂光刻写入芯片。在一个多节点1-Wire网络环境下,该序列号可以用作器件地址。

关键特性

  • 1024位EEPROM存储器,分成四个页面,每页256位
  • 独立的存储页面,可以被永久写保护或进入EPROM(“改写为0”)
  • 切换点滞回与滤波可以优化噪声指标
  • IEC 1000-4-2 4级 ESD保护(±8kV接触放电、±15kV气隙放电模式)
  • -40°C至+85°C温度范围内,可在2.8V至5.25V工作电压下进行读、写操作
  • 按照1-Wire协议,以15.4kbps或125kbps速率通过一条数字信号线与主机通信

    应用/使用

    门禁控制/停车计费表
    库存控制
    保持/监测数据存储
    工具管理
    工作流程跟踪



关键词: DS1972 EPROM 仿真模式

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