三星电子236层NAND闪存预计年内开始生产

据国外媒体报道，当前全球最大的存储芯片制造商三星电子，预计会在年内开始生产236层NAND闪存。

此外，它还计划在本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND闪存产品的开发。

韩国媒体在报道中还表示，三星目前量产的NAND闪存，最高是176层，在236层的产品量产之后，三星电子NAND闪存的层数就将创下新高。

从韩国媒体的报道来看，三星电子对即将量产的236层NAND闪存寄予了厚望。他们在报道中就表示，在NAND闪存市场，三星电子的市场份额占了35%，为全球最高。将层数增加60层后，他们计划凭借生产技术、价格及性能上的竞争优势，增加市场份额。

在全球NAND闪存市场上，主要厂商之间的竞争也较为激烈，都在研发性能更强的产品 —— SK海力士8月2日就在官网宣布，他们已经研发出了238层512Gb TLC 4D NAND，预计在明年上半年开始量产。美光科技此前也已宣布，他们完成了232层NAND闪存的研发。