中芯国际FinFET工艺已量产 产能1.5万片

中芯国际联席CEO赵海军透露了公司的先进工艺的情况，表示FinFET工艺已经达产，每月1.5万片，客户不断进来。

在最近的财报电话会上，中芯国际联席CEO赵海军透露了公司的先进工艺的情况，表示“我们的FinFET工艺已经达产，每月1.5万片，客户多样化，不同的产品平台都导入了。(这部分)产能处于紧俏状态，客户不断进来。”根据之前的报道，中芯国际的FinFET工艺有多种类型，其中第一代FinFET工艺是14nm及改进型的12nm，目前1.5万片产能的主要就是14/12nm工艺，第二代则是n+1、n+2工艺，已经试产，但产能不会有多大。

根据中芯国际联席CEO梁孟松博此前公布的信息显示，N＋1工艺和现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看，与7nm工艺相近。梁孟松博士也表示，N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能要低一些（业界标准是提升35%），所以中芯国际的N＋1工艺主要面向低功耗应用的。而在N＋1之后，中芯国际还会有N＋2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于性能及成本，N＋2显然是面向高性能的，成本也会增加。