新闻中心

EEPW首页 > 电源与新能源 > 业界动态 > 儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

作者:时间:2020-02-19来源:电子产品世界收藏

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装,可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站www.rutronik24.com.cn上供应这款MOSFET器件。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202002/410076.htm

SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低导通电阻(RDS(ON)),可以最大限度地降低传导损耗。此外,该器件具有680pF的低输出电容(Coss)和28.7nC的优化栅极电荷(Qg),减少了与开关相关的功率损耗。

与采用6x5mm封装的相似解决方案相比,TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷电路板(PCB)空间减少了65%,从而实现了更高的功率密度。它们通过了100%的RG和UIS测试,符合RoHS要求且不含卤素。

这款N-Channel MOSFET的应用包括AC/DC电源中的同步整流;面向电信、服务器和医疗设备的DC/ DC转换器中的初级和次级侧开关;用于服务器和电信设备中电压调节的半桥功率级和降压-升压转换器;电信和服务器电源中的OR-ing功能;用于开关电容器或开关柜转换器的功率级;电动工具和工业设备中的电动机驱动控制;以及电池管理模块中的电池保护和充电。

RUT083. Vishay-SiSS12DN-MOSFET (PR)_wps图片.jpg

如要了解有关威世的N-Channel MOSFET的更多信息和直接订购选项,请访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn。https://www.rutronik24.com.cn/search-result/qs:siss12dn/reset:0#



评论


相关推荐

技术专区

关闭