英国科学家发现砷化镓存不稳定性 或可为汽车等研发更好的电子产品

据外媒报道，英国卡迪夫大学（Cardiff University）的研究人员首次发现，一种普通半导体材料的表面具有以前从未被发现的“不稳定性”。该发现可能对为日常生活提供能量的电子设备材料的未来发展产生深远影响。从智能手机、GPS到卫星和笔记本电脑，复合半导体是此类电子设备不可或缺的一部分。

该项新发现揭示了一种常用的复合半导体材料 – 砷化镓（GaA）的表面并不像之前大家认为的那么稳定。

该团队利用卡迪夫大学物理与天文学院和复合半导体研究所最先进的设备，发现砷化镓的原子结构存在小块的不稳定性，而且此种不稳定性一会出现，一会消失。这是首次在砷化镓表面观察到此种“亚稳态”现象。

该研究的合著者 – 卡迪夫大学物理与天文学院的Juan Pereiro Viterbo博士表示：“目前，我们还不知道是否此种现象会影响半导体器件结构的生长，下一步我们会进行研究。如果此种现象发生在半导体器件的生长过程中，则会产生深远的影响。最终，此发现可以帮助我们更好地了解分子结构上发生的情况，从而能够研发新型材料和结构，减少现有复合半导体的缺陷，为通信系统、计算机、电话、汽车等研发更好的电子产品。”

此次发现的关键是可能会创造出新设备，而此种设备将具备此前不存在的新能力。

物理与天文学院和复合半导体研究所的实验室有一个低能电子显微镜，结合使用分子束外延机，研究人员能够在制造复合半导体的时候，观察到材料结构的动态变化。分子束外延是一种用于制造或“生长”复合半导体器件的技术，其工作原理是在衬底上精确发射极热原子束或分子束。此类分子落在衬底的表面，凝聚，然后缓慢而系统地积累成超薄层，最终形成复杂的单晶结构。

Viterbo博士表示：“尽管砷化镓已被深入研究，在生长过程中采用低能电子显微镜却可以观察到以前从未观察到的动态情况。”