常用电子元器件分类及选型（正激）

一、保险丝

分类：从封装上分为直插式和贴片式，其中直插式的又分径向引线和纵向引线式。

从时间上分为速断、中等慢断、慢断等。

从材质上分为陶瓷、玻璃、塑料等。

选型：作为保险丝除了选择其封装、时间、以及材质，额定电压、电流等，最主要的是看I平方/T，即A平方/S，这是选择保险丝的关键点，一般都是用示波器捕捉浪涌电流，然后积分(可以近似计算)，得出A平方/S。

举例：

以上是给青岛某客户做的一适配器电源白盒测试的截图，得到A平方/S为3.912，那么我们就的去查保险丝的规格书，对应的参数必须比3.912要大一个级别，查表得到比3.912大一个级别的为5.87，对应保险丝为1.6A，250V。一般电路中整流桥后面有电解电容的，选择慢断型的。

二、压敏电阻

分类：从材质上分一般分为SrTiO3(钛酸锶)陶瓷和ZnO(氧化锌)陶瓷，虽然SrTiO3(钛酸锶)陶瓷这种材质的好，性能优良，但价格高，所以目前作为电源镇流器类用ZnO的还是居多。

从用途上分一般分为保护型、浪涌抑制型、功率型，目前我们用的都是浪涌抑制型。

选型：除了外观尺寸，材质，封装等最主要的选型还是看以下。

不同厂家都有自己的命名，而且有的是根据dc电压分的，有的是根据ac电压分的，如我司目前的CNR、EPCOS。无论是哪种命名方式，但选择的原理都是一样的。

根据不同的资料，原理有两种：

一种是最高输入电压*1.414*1.2~1.4，来选择(dc电压法)。

举例：输入电压为85-264Vac，则264*1.414*1.2~1.4=447.9~522.6dc，也就是选择471-511的范围，如果厂家命名的是ac的，则把*1.414去掉，即264*1.2~1.4=316.8~369.6ac，也就是选择321~381ac。(321上一个档是381，以EPCOS为例

另一种是根据在1mA时转折电压来选取。

见下面截图，以EPCOS为例：

三、热敏电阻

分类：按温度分：负温度系数/正温度系数/临界温度热敏电阻，英文字母表示为NTC/PTC/CTR.

按封装分：直插式和贴片式。

其材料一般都是半导体陶瓷。

选型：除基本参数尺寸，25°C的阻值 零功率R25，B值，另外有两点需要注意：

1. 耗散系数δ

δ=ΔP/ΔT (mW/℃)

即：在规定的环境温度下，热敏电阻器耗散功率变化率与其相应温度变化之比。它表示使热能电阻体升高1℃温度所需消耗的功率。在工作温度范围内，δ随环境温度变化而有所变化。

2. 额定功率Pr

额定功率=耗散系数δ×(最高使用温度Tmax-25℃)

比较兴勤和时恒家的热敏电阻：

时恒家的为：热耗散系数(mw/℃): 20

兴勤家的为：热耗散系数(mw/℃): 21

大家根据上面的公式算一下额定功率：

比如Tmax温度为200°C，则额定功率为耗散系数δ×(最高使用温度Tmax-25℃)，时恒家的为：3.5W，兴勤家的为：3.675W。

这个只是个参考值。

四、X电容、Y电容(安规电容)

X电容分类：按照耐压不同分为X1 X2 X3三种。

1. X1耐高压大于2.5 kV, 小于等于4 kV,

2. X2耐高压小于等于2.5 kV,

3. X3耐高压小于等于1.2 kV

目前我们家都用X2电容，性价比高。

X电容主要用于跨接L/N之间，滤去差模噪声。

Y电容分类：按照耐压不同分为Y1 Y2 Y3 Y4四种。

1. Y1耐高压大于8 kV,

2. Y2耐高压大于等于5 kV,

3. Y3 NA

4. Y4耐高压大于等于2.5kV

需要注意的是：Y1属于双绝缘Y电容,用于跨接一二次侧.Y2则属于基本单绝缘Y电容,用于跨接一次侧对地保护即FG线。

目前X电容常用的是金属化聚丙烯薄膜，绕制完毕，两边铜包钢引线，然后放入盒子中，环氧树脂灌封而成，这个工艺中关键还是铝粉蒸发到薄膜。

国外大部分都是压制而非绕制，所以我们国产的一般都比不上国外的品质。

选型：只要注意了额定温度，电压，尺寸，容量等基本参数，没有什么可难选型的。

目前Y电容常用的是陶瓷介质，通过焊料和镀锡铜包钢引线焊接，然后环氧树脂封装而成。

选型：注意额定温度，电压，尺寸，容量等基本参数，主要看其温度特性是什么，如B(Bn) E R F等，目前比较好的是B(Bn)温度特性的，以及损耗角的正切值以及漏电流(一般从1-10mA之间)。

温度特性曲线如下:

五、 MOS 管

分类：按沟道分 N沟道和P沟道。

按材料分 结型和绝缘栅型。

按功率分 大中小三种。

其中注意所用MOS是增强型还是耗尽型。

目前我们都是用的绝缘栅-增强型-N沟道MOS。

选型：MOS管的选型比较复杂，讲起来比较费唾沫。

现以N沟道增强型MOS管STW9NB90为例讲解：

绝对最大额定值

从上而下依次为：

漏源电压 MOS管的实际最大的电压必须为此电压的88%降额。(因为-40时MOS管的反压是原来反压的92%左右，当然如果低温不是-40就另当别论)

漏栅电压

栅源电压 栅极驱动脉冲电压幅值一般在最大不要超过25V，这是对于+/-30V的而言，如果是+/-25的话，一般不要超过20V，当然以上说的是极限值，一般都不会用到极限值，MOS管最佳开通电压幅值为10V，低驱动电压MOS除外)

漏极电流(25°C时)

漏极电流(100°C时) MOS管在极限条件(空气对流的情况除外)下一般都会到达这个温度，所以选型时看此时的电流，不要看25°C，没有意义)

脉冲漏极电流

总功耗 这个功耗就是N沟道所能允许的功耗，一般为保险起见，电源或镇流器是多大功率的，要选的此值接近于其功率，当然最终以测试温升为评判依据。

额定值降低因子

二极管反向峰值电压(好像只有ST厂家的有此项)

储存温度

最大工作结温

热阻

雪崩能量

电气特性

因项目多，所以选几个重点项目讲解：

沟道电阻Rdson 除了开关损耗，另一个重要损耗就是沟道电阻的损耗。

米勒电容充电电荷量Qgd 这个主要以示波器测试米勒平台波形为准。

反向恢复时间trr 寄生二极管反向恢复时间(有的芯片如半桥的，死区时间选的理论可以，为什么还会出现上下桥臂同时通的情况，原因就在于此，trr太长，国外品牌的一般都不会出问题，国产的标的很好，时间根本就达不到，很是不靠谱)