IGBT扫盲文，IGBT基础与运用知识学习

　　尝试去计算IGBT的开启过程，主要是时间和门电阻的散热情况。

　　C.GE 栅极-发射极电容

　　C.CE 集电极-发射极电容

　　C.GC 门级-集电极电容(米勒电容)

　　Cies = CGE + CGC 输入电容

　　Cres = CGC 反向电容

　　Coes = CGC + CCE 输出电容

　　根据充电的详细过程，可以下图所示的过程进行分析

　　对应的电流可简单用下图所示：

　　第1阶段：

　　栅级电流对电容CGE进行充电，栅射电压VGE上升到开启阈值电压VGE(th)。这个过程电流很大，甚至可以达到几安培的瞬态电流。在这个阶 段，集电极是没有电流的，极电压也没有变化，这段时间也就是死区时间，由于只对GE电容充电，相对来说这是比较容易计算的，由于我们采用电压源供电，这段 曲线确实是一阶指数曲线。

　　第2阶段：

　　栅极电流对Cge和Cgc电容充电，IGBT的开始开启的过程了，集电极电流开始增加，达到最大负载电流电流IC，由于存在二极管的反向恢复电流，因此这个过程与MOS管的过程略有不同，同时栅极电压也达到了米勒平台电压。

　　第3阶段：

　　栅极电流对Cge和Cgc电容充电，这个时候VGE是完全不变的，值得我们注意的是Vce的变化非常快。

　　第4阶段：

　　栅极电流对Cge和Cgc电容充电，随着Vce缓慢变化成稳态电压，米勒电容也随着电压的减小而增大。Vge仍旧维持在米勒平台上。

　　第5阶段：

　　这个时候栅极电流继续对Cge充电，Vge电压开始上升，整个IGBT完全打开。

　　我的一个同事在做这个将整个过程等效为一阶过程。

　　如果以这个电路作为驱动电路的话：

　　驱动的等效电路可以表示为：

　　利用RC的充放电曲线可得出时间和电阻的功率。

　　这么算的话，就等于用指数曲线，代替了整个上升过程，结果与等效的过程还是有些差距的。

　　不过由于C.GE，C.CE，C.GC是变化的，而且电容两端的电压时刻在变化，我们无法完全整理出一条思路来。

　　很多供应商都是推荐使用Qg来做运算，计算方法也可以整理出来，唯一的变化在于Qg是在一定条件下测定的，我们并不知道这种做法的容差是多少。