14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND的影响
编者按：DRAM工艺尺寸的缩减正在面临基本的物理限制，目前还有没有明确的解决方案，由于印刷需求的推动，DRAM的清洗复杂度也在增加。
逻辑器件
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201804/378381.htm在第八张幻灯片中，我介绍了格罗方德、英特尔、三星和台积电的逻辑器件工艺节点。这四家厂商是逻辑器件工艺领域的领导厂商。应当特别指出的是，英特尔的节点通常等同于其他厂商下一代较小的工艺节点，比如英特尔的10nm和代工厂的7nm差不多。
幻灯片表格下方，左侧显示的是FinFET的横截面，这是当前先进逻辑器件首选的工艺，右侧显示了纳米线和纳米片，预计将在4nm左右时替代FinFET。
在幻灯片9中，我介绍了一些主要的逻辑器件工艺的演变。在这张幻灯片中，我以英特尔/代工厂的两个数字展示工艺节点，如上所述，英特尔的工艺节点和代工厂较小尺寸的工艺节点类似。
在第10张和第11张幻灯片中，我介绍了一些主要的逻辑工艺模块，并讨论了这些模块对清洗和湿条带的需求。
12号幻灯片是逻辑器件章节最后一张幻灯片，介绍了基于台积电工艺节点的清洗步骤数量。当工艺尺寸下降到第一代7nm工艺时，由于增加了掩膜层，再加上多重图案化的复杂性，清洗次数一直在增加，在随后的7nm+和5nm节点上，由于EUV将显著降低光刻的复杂度，因此消除了许多清洗步骤。
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