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旺宏NAND论文 获国际肯定

作者:时间:2017-11-30来源:经济日报

  内存大厂(2337)在3D Flash研发获得重成果,昨(29)日宣布,最新研发3D 记忆晶胞架构的论文入选国际电子组件大会(IEDM),被评选为「亮点论文」,是今年台湾产学研界唯一获选的厂商,彰显在先进内存研发实力受到国际高度肯定,也显示在业界最关注的3D 议题上扮演重要角色。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201711/372280.htm

  旺宏强调,独立研发的平坦垂直渠道型晶体管结构(SGVC),相较其他大厂现有技术,以相同的堆栈层数,却可达到二到三倍的内存密度。

  目前很多公司大举投入64层或72层等3D NAND 型闪存开发,旺宏开发的SGVC新3D NAND Flash只要堆栈16层,内存密度即可达到现行闸极环绕型结构 (GAA)所堆栈48效果。

  此外,由于记忆晶胞为平坦垂直渠道型晶体管结构,可大幅减少几何效应对于整体电性的敏感度,适合于需要频繁读取数据的各式应用,低层数的堆栈也有利提升制程良率。



关键词: 旺宏 NAND

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