新一代LED光耦电路设计，改进老化和能耗

电子电路的设计方式和思路不断推陈出新，其中光耦电路也面临重要变革。虽然看起来简单，但是面对LED光耦电路的设计仍然不能掉以轻心，对于LED光耦电路设计老化和能耗问题，设计者也提出了相关的改进，在反应慢且不稳定的缺点方面也做出了改进。

图1显示了两个通用的0V同步交流设计。通过光耦负载电阻的减少，开关变得更慢更不确定，但减少了光耦的LED电流，尝试减少隔离电路中的能量消耗。为实现更快更迅速的开关，将不得不牺牲能量效率；然而，由于能量效率和交流电压大小的反向关系，这个牺牲的好处是有限的。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201710/367763.htm

图1

光耦的LED在近似全交流循环过程中处于持续发光的状态，这就导致功耗效率低，且使光耦老化得相对较快，同时意味着是过原点误差过大且几乎不可控。电路的灵敏度范围依靠光耦的参数决定，图1的设计不是一个理想方案。就效率而言，依靠光耦的电流转换率和交流幅值，输出应该能够达到5到100mA。

图2

而图2的设计就克服了能耗过大、不确定开关和LED老化的问题。它非常适用于宽交流范围的应用。与图1的电路相比，图2的LED只在过原点附近发光，且由前置充电电容接收能量，所以通过10到100的因数减少平均电流消耗。设计也提供更快、更确定和更敏锐的开关。更甚者，通过延缓LED老化。图1中电阻R1和R2消耗的热功率不小于1.5W，所以在同一电路板区域中可用0.1W设备替换外部器件（图2）。

电路的主要部分由幅值检波器D1、电容C1和Schmitt触发器Q1/Q2组成，控制流过光耦的LED电流。D2和D3稳定Q2的基电压，从而其集电极电流驱动光耦。电容C1通过R1、R2和D1充电。

几乎所有交流周期中，除了过原点附近，Q1为开，Q2为关。接近过原点时，Schmitt触发器Q1和Q2的状态改变，Q2以恒定的电流卸放电容C1，因为由Q2、D2、D3、R5和R6组成的电路按I=（2&TImes;VD–VBE2）/R6稳定电流，在这里VD为D2或D3上的电压降，VBE2为Q2的基射极电压。

图3

一些应用不需要Schmitt触发器固有的磁滞性；图3显示了这样的一个设计。它也显示了怎样处理不需要的D1最小反转电流。然而，电路更适用于纯同步和非晶闸管控制。由于LED电流的稳定性，这些设计使输入交流电压的范围扩大，其有利于多标准交流供电设计；这样设计的另一个优势，是能够拥有更安全的特性。在其终端短路的情况下，光耦在隔离与非隔离侧之间传递的电流比图1电路中少10到100倍。光耦也有优势。由于低占空比，可以不损失功率而任意减少光耦负载电阻R8的值。这个减少将使过原点误差降低。

本文为大家介绍了一种能够大幅改进传统LED光耦电路中老化与能耗问题的电路。并对传统LED光耦电路中存在的问题进行了分析。很显然，在进行LED光耦电路设计时经过优化的方法将是人们的首选。希望在看过本文之后，各位能够自行判断一款LED光耦电路在能耗与老化方面的优劣。