FET知识：采用结型FET实现的放大电路经典案例

　　与之前介绍的晶体管放大电路相同，各级FET放大电路之间的连接也必须通过电容连接，以构成CR的连接方式。此时，为保证栅极、源极和漏极间正确的电压关系，就需要偏置电路来提供栅极电压。

　　与晶体管放大电路的接地方式相同，结型FET放大电路也有多种接地方式。

　　最一般的源极接地电路和自偏置电路

　　n沟道FET的例子如下图所示，p沟道FET电源电压VPS(V)和电流ID(A)的方向，与此图完全相反。

　　FET源极接地电路的功能，与晶体管的共射放大电路一样。由于结型FET的正常工作，要求栅极和源极间的电压VGS为反向偏置电压，因此其偏置电路的构造有些不同。

　　与晶体管的电流反馈偏置电路一样构成的FET“自偏置电路”，由于其稳定程度良好，在实际电路中得到了普遍应用。

　　自偏置电路源极电阻对电路的稳定作用

　　与栅极和源极间电压VGS相对应的漏极电流ID(A)，流过源极电阻RS(Ω)。VGS为负极性的偏置电压。

　　此时，如果我们把VGS的绝对值变得很小，漏极电流ID就会增大。这样一来，源极电压VS(V)就会升高，从而使得VCS的绝对值增大，同时ID也会减小，电路的状态向稳定的方向变化。

　　源极接地电路要实现放大功能，需要给源极电阻并联电容

　　实现交流信号放大时，需要忽略源极电阻RS的影响。与源极电阻RS并联的电容CS(F)，使得交流信号变化对源极电压VS没有影响，源极电压VS保持不变。对于交流信号来说，源极是通过电容CS接地的，因此也称为源极接地电路。该电路对交流信号的电压放大倍数A为

　　A=gm*RD

　　式中，RD(Ω)为漏极电阻。由于结型FET的gm很小(在1~10mS之间)，很难实现电压放大倍数很大的单级放大电路。

　　漏极接地电路的偏置电路和放大倍数

　　漏极接地电路(源极跟随器)与晶体管的共集放大电路(射极跟随器)相同。漏极接地电路中，漏极与电源VPS相连接(关于n沟道FET)，通过电源接地，所以可以被看作为“漏极接地”电路。

　　信号的放大倍数A为A≈1，实际的放大倍数要比1略小一些。

　　栅极接地电路的偏置电路和放大倍数  

　　栅极接地电路和晶体管基极接地电路一样。偏置电路和其他的结型FET的接地电路一样。

　　结型FET的栅极和源极间为反向偏置电压，源极通过电阻RS接地，栅极直接与地电位相连。

　　栅极接地电路，输入、输出信号的极性相反。信号的电压放大倍数A为

　　A=gm*RD