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手机实现512GB容量不是梦:72层3D NAND闪存问世

作者:时间:2017-04-11来源:太平洋电脑网收藏

  随着APP体积不断扩大,以及照片、视频等文件逐渐累积,消费者再难回到被16GB ROM支配的时代。就连吝啬的苹果也将iPhone存储容量翻番,最高达到了256GB。大容量闪存能够提高数据并行处理的效率,但是256GB就够了吗?

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201704/346455.htm

    

 

  日前,(SK Hynix)推出业界首款72层堆叠的3D 闪存。该方案基于TLC阵列、单晶片容量为256Gb(32GB),闪存芯片封装后的最高容量将达到512GB。

    

 

  相比上代48层堆叠的方案,72层闪存将单元数量提升了1.5倍、生产效率提高30%。由于引入高速电路设计,72层闪存的内部运行速度比48层NAND提高了2倍,读写性能增加20%。

    

 

  在去年4月推出36层128Gb NAND闪存,去年11月批量生产48层256Gb NAND闪存。预计72层256Gb NAND闪存将于今年下半年大规模量产,用以满足固态硬盘和智能手机市场的需求。不妨猜一猜,哪款手机能够率先突破512GB容量呢?



关键词: 海力士 NAND

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