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车用存储器市场分析

作者:王莹时间:2017-03-29来源:电子产品世界收藏
编者按:在“2017慕尼黑上海电子展”前夕的“汽车技术日”上,ISSI技术市场经理田步严介绍了车用存储器市场,包括:信息娱乐、ADAS、仪表总成、connectivity telematics四大类。

  未来整个应用可能会类似于大脑的网络神经(如图9)。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201703/345929.htm

  ISSI会提供具有 ECC功能产品(图10)。因为ADAS是非常严肃的,对产品的要求非常高。所以ISSI会提供带有ECC的功能的DARM。

  Cluster(仪表总成)

  Tier-one(零部件供应商)占了大部分市场(图11),本土企业也非常强。

  其中,3.5寸、7寸是主流的应用,还有一些是全尺寸的虚拟表。对于ISSI,从3.5寸到12.3寸都有对应的存储解决方案。例如瑞萨低端产品采用了ISSI级的外部256Mb SPI NOR Flash,中断产品采用了外部的SDR(x32)和SPI NOR Flash,高端采用外部DDR3/3L。

  Connectivity Telematics

  车联网分为两块,一个是OnStar与福特SYNC,另外是除了前述的两个系统以外的系统。

  值得一提的是我国上汽推出了一款具有互联网功能的荣威RX 5 SUV,具有语音识别功能。

  所以总体地,整个的运算量提升,这对存储器容量的要求非常高。但此处的存储器与仪表总成所需的存储器对安全性的需求是不太相同的。

  在TCU(Telematics控制单元)方面,ISSI能够提供全部SDR产品线,级最大密度达512Mb。

  对于小型天线解决方案,ISSI能够提供灵活的MCP产品线。

关于ISSI

  ISSI今年一季度被兆易创新收购。但是ISSI的整个策略、销售渠道和公司状况都没有变,因为其创始人现在仍是ISSI的CEO,也是新公司董事会的成员。

  ISSI是专业做存储器的公司,所做的产品线堪称业界最全。

  去年营收3.2亿美元,中国市场营业额约占30%。ISSI公司90%做嵌入式应用存储(其中存储器为55%,汽车和工控医疗为80%,其他还有医疗等),而竞争对手90%市场来自移动应用(手机、平板、PC等)。

  公司存储器产品温度适应范围广、产品生命周期长、高可靠、高品质,另外,ISSI服务方面也做得很好,在中国有三个实验室,分别在上海、北京和深圳,可以为客户服务支持。

  汽车用存储器年均增长40%比特(bit)量,成长率高于手机(手机为20%成长)。根据Trendforce报告,2D-NAND Flash 15nm是最后一代制程,而ISSI eMMC中用到MLC NAND flash制程即为15nm,秉承长期支持战略,可保证长生命周期。

  2016年中国十大车厂中,除了上汽通用五菱(生产微型面包车),其他都是ISSI的客户。此外,本土品牌的长安、吉利、奇瑞等也是ISSI的客户。

  下一代 ISSI (DDR3)产品规划将演进到25nm,同时,公司也开发带有ECC DRAM满足车载应用。

  关于车联网市场,IHS统计有三大应用:通用安吉星,福特SYNC,国内俗称的T-Box。在娱乐导航方面,单颗DDR3 8Gb需求容量已经够大。车联网目前主流方案应用DDR3 1Gb/2Gb,仪表总成的需求也没有那么大,2Gb/4Gb DDR3为主流。

  车载市场的特点是现在很激进,目前主流存储器用什么,车载就用什么,不像以前那么保守。有的车上市半年就改款,更换更炫大屏车机,那么对存储器需求增大。相比之下,工控喜欢利用原有资产(legacy,也称遗产),例如5V 还在用,因为工业应用(例如电梯控制板,医疗等)对人的生命有关,需要进行长时间认证,认证成本与cost down下来成本比例相差不大。

ISSI芯片组

  DDR4 方面,ISSI能提供的1.2V DDR4最高到1.2GHz(2400MT/s 数据率),2.5V电源。同时,ISSI已经开始出货4Gb DDR4样品。ISSI也是极少数能够提供工业和汽车温度级的DDR4厂商。

  LPDDR3与LPDDR4 方面,LPDDR3可达800MHz(1600MT/s)或更高,带有1.2V或1.8V供电。4Gb正在开发中,计划今年出货。

  LPDDR4在1600MHz(3.2GT/s)或更高,需要1.1V和1.8V电源电压。2/4/8Gb正在开发中,计划2017或2018供货。用于汽车的新产品有MCP、ECC DDR3、MMC。

  全球市场预计将在2020年达到21亿个,驱动力是移动设备。汽车是增长最快的部分,预计2014~2021年器件年均增长16.4%。在汽车部分,信息娱乐预计年均增长20.5%,到2021年将近1.6亿个(图14)。

  ISSI的是15nm MLC NAND Flash。密度有4GB~64GB产品,还有高速解决方案。

  参考文献:

  [1]邢雁宁.中国半导体存储器市场前景.电子产品世界,2016(7):4-7

  [2]郭祚荣.2016年全球DRAM市场与趋势分析.电子产品世界,2016(8):3-7

  [3]迎九.发展3D NAND闪存的意义.电子产品世界,2017(2-3):6-7

  [4]叶钟灵.移动产品牵引移动存储器.电子产品世界,2014(10):3-6

  [5]孙俊杰.高交会上东芝引领闪存技术走向.电子产品世界,2015(1):79


  本文来源于《电子产品世界》2017年第4期第3页,欢迎您写论文时引用,并注明出处。


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