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晶体/陶瓷振荡器基本电路

作者:时间:2016-11-08来源:网络收藏

/基本电路

以下是/的两个应用电路。

说明 1. 内部偏压电阻RINB,用于产生振荡器的工作点。
2. 内部振荡器电容CIN1 和CIN2,与外部/配合构成Pierce 振荡器。振荡时,晶体/陶瓷振荡
器可以看作是等效电感,该电路还可以降低EMI。
3. 外部偏压电阻REXB,用于低压停振控制的特殊应用,需配合CEX1 使REXB×CEX1 大于2πfSYS。主要原
理是加大振荡电路的负载,在低压时使振荡器停振,使MCU 不会发生低电压工作错误的情形。如果实
际应用中没有用到低电压情形,该电阻可以省略。
4. 外部振荡器电容CEX1 和CEX2,用于振荡频率微调或晶体/陶瓷振荡器匹配,并可用于调整起振时间,正
常应用时可省略。
5. 在HOLTEK MCU 的datasheet 和handbook 的应用电路中,都有提供匹配的电阻电容值供使用者参考。

晶体/陶瓷振荡器Warm-up 时间
• 晶体/陶瓷振荡器在起振前所需的温机(Warm-up)时间。
• 其时间长短与晶体/陶瓷振荡器的特性及停振(冷却)时间长短有关,一般在冷机状态下,温机时间约为3~5ms。
系统start-up 定时器
• 为了让振荡器能够稳定起振所需要的延时时间。
• 其时间为1024 个振荡器振荡周期。
EMI/EMS(EMC)注意事项
• 晶体/陶瓷振荡器需放置最接近于MCU 的振荡器引脚,即其连线应最短。
• 为减小EMI,晶体/陶瓷振荡器的引脚应有VDD 或GND(VSS)环路做屏蔽。
• CEX1 和CEX2 所接的VDD 或GND(VSS),其到MCU 的VDD 或GND(VSS)连线应最短。



关键词: 晶体 陶瓷振荡器

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