存储器巨头再掀产能技术争夺战 作者：时间：2016-09-12来源：网络收藏 莫大康分析说，存储器相对3D最容易实现，因为是把同一种芯片堆叠24层、32层就能提高容量，因此存储器将在3D方面打先锋。未来NAND闪存竞争将迎来加高堆叠层数来实现大容量化的、彻底的技术转型。莫大康最后指出，3D的路其实不好走，技术方面难度大，尤其是异质架构。其实最理想的是异质架构把逻辑、存储器、模拟、RF、MEMS都放在一起，这将实现半导体又一次大跃进，但目前还达不到。 上一页 1 2 下一页
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