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英国专家用半极性GaN生长高效益LED

作者:时间:2016-03-07来源:eettaiwan 收藏

  英国雪菲尔大学(SheffieldUniversity)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(AppliedPhysicsLetter)期刊上发布在半极性氮化镓()或蓝宝石基材上生长的最新成果。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201603/287892.htm

  利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的制造的微柱阵列模板,研究人员能在其上过度生长的半极性(11-22)上生长出具有更高量子效益的

  相较于在C-Plane蓝宝石基板上生长的商用,该研究团队在半极性材料上所生长的绿光LED显示发光波长的蓝位移随着驱动电流增加而减少。在蓝位移所观察到的情况也适用在黄绿与黄光LED上,因此,研究人员发现所生长的LED存在一种有效抑制量子而限制星炫的效应。

  研究人员在晶圆上测得光源输出随电流提升而呈线性增加,而其外部量子效率显示较商用C-PlaneLED的效率衰减(efficiency-droop)情况已明显改善了。电致发光偏振测量显示半极性LED的偏振比约为25%。

  研究人员声称,初步的结果显示,过度生长技术是一种更具有潜在成本效益的方法,可在较长波长区域中实现高效能的半极性GaN发射器。



关键词: GaN LED

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