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三毫米单片集成电路噪声系数测量技术

作者:时间:2009-12-03来源:网络收藏

3 测量结果分析
3.1 测量数据
测量我所研制的PHEMT电路裸片16个,图5给出其中之一的实测和增益曲线,偏置条件为Vds=1.0 V,Ids=22 mA。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/195643.htm

3.2 测量不确定度的分析
测量不确定度不仅取决于分析仪的准确度,而且与被测件的噪声系数和增益的大小有关,如图6所示。


同时考虑失配的因素,采用如下计算公式:
式中:

根据上述公式,以94 GHz MMIC放大器为例,计算UB。
噪声系数NF1(dB)=3.43 dB,F1=2.203,
增益G1(dB)=13.46(dB),G1=22.182,

3 mm接收机噪声系数NF2(dB)=4.85 dB,F2=3.054 9,
驻波比为1.12,ρ=0.056 6,
噪声源输出驻波比为1.13,ρ=0.061 0,
F12=F1十(F2-1)/G1=3.608 9。
计算下述各量:


从噪声系数分析仪技术指标可知:δNF=0.1 dB,δG=0.15 dB。
根据失配不确定度公式:±20log(1+ρsρl)计算出各失配不确定度:


根据式(7)计算出噪声系数测量不确定度为0.28 dB。


4 结束语
本文只介绍了92~97 GHz频率范围的低噪声裸片噪声系数的测量,实际上本系统可以用于75~110 GHz频率范围内的噪声系数的测量。目前正在本系统上做3 mm噪声源校准技术的研究。


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