集成的半导体光电智能探测器SOC研究

　　在实践上，我们根据图2、图3所示的原理，使用开关电容技术实现了低噪声、高读出速度的智能探测器电路设计。由于篇幅所限，具体电路结构本文不再赘述。具体的测试结果见本文第5部分。

4 工艺设计

　　本电路采用1μm准双阱硅栅CMOS工艺制造，探测器部分基本结构如图4所示。我们力求在标准CMOS工艺的基础上做少量修改，保证在不影响正常工艺步骤的情况下，加入少量几个工艺步骤，在同一芯片上，制备出高性能光电二极管。与常规CMOS工艺相比，主要有如下特殊之处：

　　(1)P阱版

　　在电路区，与常规的P阱版没有差异。对光电二极管，本次P阱注入形成保护环和接触区。

　　(2)N阱版

　　在标准CMOS工艺中，不必进行这次光刻，只要对整个硅片进行大面积注入即可。但是，对于智能探测器工艺，由于存在光电二极管区，因此不能进行这样处理。我们在P阱注入后再加入一块N阱版，挡住光电二极管区，只对电路区进行注入，这样，就达到了分别优化的目的。

　　(3)P阱场注和有源区注入

　　这次光刻是利用常规CMOS工艺的P阱场注形成光电二极管的有源区注入，该步骤有待于优化。

　　(4)P+注入

　　如图4所示，本次注入在形成电路的P+区的同时，还对光电二极管的接触区进行了P+注入，以形成良好的接触。

　　(5)孔版

　　常规CMOS工艺一次即可刻出接触孔，但对光电二极管，不但要刻接触孔，而且还要刻掉光电二极管光敏面上的LPCVD层，因此，如3.1节所述，我们使用“孔版”和“孔和有源区版”来达到此目的。第一次光刻接触孔和光电二极管的有源区，腐蚀掉LPCVD层，第二次光刻所有的接触孔，腐蚀掉氮化硅层和二氧化硅层。