新闻中心

EEPW首页 > 测试测量 > 设计应用 > 基于光强传感器TSL256x的感测系统方案设计

基于光强传感器TSL256x的感测系统方案设计

作者:时间:2012-06-21来源:网络收藏

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/193688.htm

4.2 软件设计

  微控制器可以通过I2C总线协议对1进行读写。写数据时,先发送器件地址,然后发送要写的数据。1的写操作过程如下: 先发送一组器件地址;然后写命令码,命令码是指定接下来写寄存器的地址00h~0fh和写寄存器的方式,是以字节、字或块(几个字)为单位进行写操作的;最后发送要写的数据,根据前面命令码规定写寄存器的方式,可以连续发送要写的数据,内部写寄存器会自动加1。对于I2C协议具体的读写时序,可以参考相关资料,在此不再赘述。1的软件设计流程如图4所示。

按此在新窗口浏览图片
图4 软件设计流程

  限于篇幅,在此给出对TSL2561读写操作的部分程序:

unsigned char TSL2561_write_byte( unsigned char addr, unsigned char c) {
  unsigned char status=0;
  status=twi_start();//开始
  status=twi_writebyte(TSL2561_ADDR|TSL2561_WR);//写TSL2561地址
  status=twi_writebyte(0x80|addr);//写命令
  status=twi_writebyte(c);//写数据
  twi_stop( );//停止
  delay_ms(10);//延时10 ms
  return 0;
}
unsigned char TSL2561_read_byte( unsigned char addr, unsigned char *c) {
  unsigned char status=0;
  status= twi_start( );//开始
  status=twi_writebyte(TSL2561_ADDR|TSL2561_WR);//写TSL2561地址
  status=twi_writebyte(0x80|addr);//写命令
  status=twi_start( );//重新开始
  status=twi_writebyte(TSL2561_ADDR|TSL2561_RD);//写TSL2561地址
  status=twi_readbyte(c,TW_NACK);//写数据
  twi_stop( );
  delay_ms(10);
  return 0;
}

  当积分式A/D转换器转换完成后,可以从通道0寄存器和通道1寄存器读取相应的值CH0和CH1,但是要以Lux(流明)为单位,还要根据CH0和CH1进行计算。对于TMB封装,假设光强为E(单位为Lux),则计算公式如下:

  ① 0CH1/CH0≤0.50
  E=0.030 4×CH0-0.062×CH0×(CH1/CH0)1/4
  ② 0.50CH1/CH0≤0.61
  E=0.022 4×CH0-0.031×CH1
  ③ 0.61CH1/CH0≤0.80
  E=0.012 8×CH0-0.015 3×CH1
  ④ 0.80CH1/CH0≤1.30
  E=0.001 46×CH0-0.001 12×CH1
  ⑤ CH1/CH0>1.30
  E=0

  对于CHIPSCALE封装,计算公式可以查看相应的芯片资料。

5 结论

  采用TSL实现光强度实时监测的系统,具有精度高、成本低、体积小等优点。芯片内部集成了积分式A/D转换器,采用数字信号输出,因此抗干扰能力比同类芯片强。该芯片在光强监测控制领域已得到广泛应用。


上一页 1 2 下一页

关键词: 256x TSL 256 光强传感器

评论


相关推荐

技术专区

关闭