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东芝推出智能手机专用射频天线开关

—— 采用新一代TaRF5工艺打造,插入损耗堪称业界最低,尺寸堪称业界最小
作者:时间:2013-11-14来源:电子产品世界收藏

  东京—公司(TOKYO:6502)日前宣布开发出一种带MIPI®RFFE接口的SP10T开关,其插入损耗堪称智能手机市场业界最低,尺寸堪称业界最小。该产品即日起交付样品。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/189290.htm

  新产品运用了“TaRF5”—一种采用绝缘硅()技术打造的新一代Tarf™(先进的RF )工艺。相较于采用TaRF3工艺打造的产品而言,采用TaRF5工艺打造的新样品的插入损耗(f=2.7GHz)改善了25%,尺寸缩小了40%。这些改进可延长电池工作时间,缩小安装空间,还有助于缩小应用产品的尺寸。

  自从2009年为智能手机开关开发SOI-CMOS工艺以来,已经相继开发出了可改善性能的新一代工艺和设备。随着LTE和LTE-Advanced相继在全球获得采用,市场对开关的需求也倾向于多端口与复杂功能。为满足这些市场需求,东芝计划继续开发低插入损耗、小尺寸的产品。



关键词: 东芝 射频天线 SOI

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