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轻载下的正激同步整流变换器分析

作者:时间:2008-03-25来源:网络收藏
摘要:技术的广泛应用促进了低电压大电流技术的发展,但是,使用技术会造成开关电源在情况下的低效率问题。以正激式为例,从电感电流连续和断续两种状态,工况下的工作情况。
关键词:同步整流;CCM;DCM;环路电流;振铃


O 引言
随着计算机、通讯和网络技术的迅猛发展,低压大电流DC/DC成为目前一个重要的研究课题。传统的二极管或肖特基二极管整流方式,由于正向导通压降大,整流损耗成为的主要损耗。功率MOSFET导通电阻低、开关时间短、输入阻抗高,成为低压大电流功率变换器首选的整流器件。根据MOSFET的控制特点,应运而生了同步整流(Synchronous rectification,SR)这一新型的整流技术。

1 同步整流正激变换器
图l给出的是一种电压自驱动同步整流正激变换器,图l中两个与变压器耦合的分离辅助绕组N4、N5用来分别驱动两个同步整流管S201、S202。当主开关管导通时,变压器副边绕组上正下负,S201栅极电压为高,导通整流;主开关管截止时,副边绕组下正上负,续流S202栅极为高,导通续流。
正激变换器中,同步整流S201的运行情况与变压器磁复位方式有关。如果采用如图1所示的辅助绕组复位电路,在复位结束过程之后,变压器电压保持为零的死区时间内,输出电流流经续流同步整流管S202,但是S202栅极无驱动电压,所以输出电流必须流经S202的体二极管。M0SFET体二极管的正向导通电压高,反向恢复特性差,导通损耗非常大,这就使采用MOSFET整流的优势大打折扣,为了解决这一问题,较为简单的做法是在S202的漏极和源极之间并联一个肖特基二极管D201,在S202截止的时间内,代替S202的体二极管续流,这一方法增加的元件不多,线路简单,也很实用。

为了优化驱动波形,可以采用分离的辅助绕组来分别驱动两个同步整流管,比起传统的副边绕组直接驱动的同步整流变换器来说,这种驱动方式无工作电流通过驱动绕组,因此不需要建立输出电流的时间,MOSFET能够迅速开通,开通时的死区时间即体二极管导通的时间减少了一半。另一方面驱动电压不只局限于副边电压,可以通过调整辅助线圈来得到合适的驱动电压。


2 条件下的同步整流
对于正激变换器,在主开关管截止的时间里,输出电流是靠输出储能电感里的能量维持的,因此变换器有两种可能的运行情况:电感电流连续模式(CCM,continuous current mode)和电感电流断续模式(DCM,discontinuous current mode)。
2.1 电感电流连续模式CCM
当负载电流较大时,电感电流在整个周期内都不会下降到零,每个开关周期可以分为两个阶段,在t1阶段,S201导通,S202截止,电感两端的电压为Vs-Vo(其中,Vs为变压器副边绕组电压,Vo为变换器输出电压),电感电流持续上升;t2阶段,S201关断,S202导通,电感两端电压为-V。,电感电压持续下降。稳态时,一个开关周期内,滤波电容C的平均充电电流与放电电流相等,故变换器输出的负载电流平均值Io就是iL的平均值,由于负载电流较大,电感电流iL在整个周期中都不会下降至零,电感电流方向不发生变化,如图2(a)所示。

当负载电流Io减小时,ILmax和ILmin都减小,当负载电流Io减小到使ILmin在Ioff结束时恰好为零,如图2(b)所示,此时的负载电流称之为临界电流

当负载电流进一步减小时,对于副边采用传统二极管续流工作的正激变换器来说,将会出现电感电流断续的工作情况,如图2(c)所示。
当副边采用同步整流工作时,由于续流MOSFET的双向导通的特性,使得此时的电感电流能够反向,如图2(d)所示,产生环流。有了环流就会消耗环流能量。这个能量的大小和输出滤波电感有关,输出滤波电感越小,环流就会越大,环流能量越大,损耗也越大。所以由于同步整流器不能从CCM模态自动切换到DCM模态,轻载时就会产生很大的环流损耗。环流损耗、开关驱动损耗和开关损耗使得变换器轻载时的效率较低。
为了避免电感电流轻载时反向形成环路电流,可以采用如图3所示的驱动电路。S201、S202为两个同步整流管,Vdd为一基准电压,R211和R212分压后产生一个电压给定值加在比较器的同向输入端,比较器的反向输入端接在输出电流取样电阻R210上。当输出电流高于临界输出电流,比较器输出高电平,主开关管截止期间,S202、S203导通,高电位加至续流M0SFET S202栅极,S202导通续流;当输出电流低于临界电流时,比较器输出低电位,S204、S203、S202均截止,这个时候的续流工作就交由与S202并联的肖特基管D201完成,由于肖特基的单向导电性避免了环路电流的形成。
值得注意的是,续流MOSFET一定要在反向电流产生前截止。如果已经产生了反向电流以后才使MOSFET截止,此时反向电流迅速下降,产生很大的di/dt,会在续流MOSFET源极和漏极两端产生很高的电压尖峰,这个电压尖峰甚至可能高于MOSIFET的耐压,使续流MOSFET击穿,如图4的试验波形所示。

在这种控制方式下,重载时由续流同步整流管续流,轻载时由肖特基管续流,电感电流将进入DCM模式,这样减少了导通损耗,提高了轻载时变换器的效率。
2.2 电感电流断流模式(DCM)
在这种情况下,每个周期可以分为三个阶段,t1和t2阶段同上述CCM相同。如果在进入t3时刻时,电感两端电压和电感电流精确为零,电路就刚好处于稳态,不会出现振荡,但实际电路中,很难保证这两个条件的满足。
在t3阶段,S201和S202均处于关断状态,由电感L201寄生电容Cp负载电容C201与负载并联构成了L/C振荡回路,考虑到C201>>Cp,可以求得振荡频率为


这个频率往往很高,会在S202源极和漏极两端形成明显的振荡,也就是通常所说的振铃现象,这个过程通常来说是欠阻尼振荡,如图5的试验波形所示。

由于DCM模式能够避免轻载时环路电流的产生,却可以大大提高了变换器轻载时的效率。两种电路模式的效率对比如图6所示。

3 结语
在轻载工况下,采用关断续流MOSFET使得正激变换器副边工作在DCM模式下,可以显著提高同步整流变换器轻载时的效率。实验证明,采用如图3所示的电路能够完成轻载时副边电流CCM到DCM的转化,是提高正激变化器轻载效率的一种可行的方法。



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