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D类音频前置运算放大器的噪声分析与设计

作者:时间:2009-04-29来源:网络收藏
 3 电路设计及物理层设计

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/188941.htm

  由以上噪声特性的分析可以看出,要改善的噪声需要选择合适的电阻及合适的MOS管的栅宽长比,本文应用Winbond 0.5μ CMOS典型工艺,对运放噪声进行了分析,如图6和图7,其中L1L2L3。

  

  由图6和图7可以看出,输入管及负载管L越大,噪声特性越好,但由于版图及稳定性的要求,不可能使用过大的L值;通过同样的仿真,对输入的宽长比,我们也可以得到类似的结论;因此,本文的运放选择合适的电阻及输入级和负载管的宽长比,完成了很好的设计,图8给出了详细电路图,且表1给出了其设计的基本仿真结果。

  

  由表1仿真结果可以看出,运放采用低静态电流设计,实现较低的噪卢特性、较高的电源抑制比,及较快的转换速率等。

  

  图9是前置在功率放大器中的完整版图,使用Winbond 0.5μCMOS工艺,此工艺本身对衬底的噪声有一定的抑制,对功率放大器的设计提供了很好的前提,上图的3个框分别为外部反馈电阻、内部结构及内部调零电阻,并且很好地实现了电阻电容及晶体管的匹配。

  

  4 结束语

  噪声是运算放大器非常重要的参数,它决定了整个系统的灵敏度,本文从噪声这个参数入手,分析了放大器中前置运放的噪声特性,给出了改善噪声的方法,并用winbond 0.5μCMOS工艺完成了相关设计。


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