一种新颖不带电阻的基准电压源电路设计
通过上面分析可知，此方法可以得到一个与绝对温度成正比(PTAT)的电流I1。具体实现电路如图3所示。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/181254.htm
图3电路中，M3～M6四个PMOS晶体管工作在饱和区，它们的宽长比相同。M1和M2两个NMOS晶体管工作在饱和区，它们的宽长比为(W／L)2／(W／L)1=m。通过调节电路，使得M7～M10四个NMOS晶体管工作在深线性区。现在讨论电路的工作原理。
对于X点和Y点的对地电压，可以分别表示为：
通过式(5)和式(15)可以看出，在这个电路中，式(5)的系数：
它是一个仅与器件尺寸有关，而与温度无关的常数。
通过式(9)和式(10)可知，此电路可以产生一个与绝对温度成正比的电流。
2 基准电压的产生
对于一个工作在饱和区的二极管连接NMOS晶体管，如图4所示，它的Vgs=Vds流过它的饱和漏电流为：
对于MOS管的阈值电压Vth，它的一阶近似表达式可以表示为：
式中：Vth0为MOS管工作在绝对零度时的阈值电压；aVT为一个与温度无关的常数；T-T0为温度变化量。对于一个MOS管的迁移率μn：它的大小可以表示为：
μn=μn0(T／T0)-m (19)
式中：μn0为绝对温度时MOS管的迁移率值；T0为绝对零度；T为温度变化量；m为比例变化因子，它的典型值为1．5。
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