MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究

1 引言
MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性，可自动调节电流，因而易于并联应用。但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因，并联应用功率MOSFET管会产生电流分配不均的问题，关于此问题，已有文献进行过分析，这里进一步分析 MOSFET管并联应用时导通电阻Ron、栅阈电压UT、跨导Gm等自身参数及部分电路参数对静态和动态电流分配的影响。

2 导通电阻Ron对静态电流分配的影响
这里静态是指器件开关过程已结束并进入稳定导通后的工作状态。此时，由于导通电阻Ron具有正的温度系数KT，可抑制电流分配不均的程度，但不能根本消除电流分配不均现象。实践证明，当n只器件并联时，若其中只有1只器件具有较小的导通电阻Ron，这时静态电流不均现象最为严重。设较小导通电阻为R1，其余器件的导通电阻为R2，并设其结温为Tj=25℃时的导通电阻分别为 R10和R20，而结温Tj≠25℃时的导通电阻分别为R1T和R2T，则有：

式中，In为MOSFET管的漏极电流，RTj为PN结到管壳的热电阻。
若负载电流为I0，当各器件不存在电流分配不均现象时，各管漏极电流平均值为：

式中为漏极电流的不均匀度为导通电阻的不匹配度；M=I2BR10RTjKT，称为功率MOSFET管导通电阻的自主补偿系数。
当并联支路数n→∞时，式(6)可简化为：

在式(7)、(8)中再分别令M=0和n→∞，则均可得到：
A=B (9)