双向过压过流保护器件NCP370 的原理及应用

3 典型应用
NCP370具有保护电压下降的功能，通过该功能可使电路免受IN端反向电压的影响。当出现反向电压时，NCP370的输出将与输入端断开。
图4所示是NCP370的典型应用电路。

将NCP370的DIR端强制置高(>1．2 V)，且将DEV端置低(0．55 V)，NCP370便可进入反向供电状态，此时系统内的电源可以向置于底部连接器的外设供电。而NCP370则由电池来供电，范围为2．5～5．5 V，而且此时的OCP和热关断模式同样起作用。
当外设电阻Rlim上的电流(Ilim)高于Iocp时，流过其内部N沟道MOS管的电流就会受到限制，这样，NCP370就能提供从电池到外设的反向过流保护功能。由于NCP370的内部电阻与Ilim是串联关系，因此，当Ilim引脚直接与GND相连时，其OCP最大，而在它们之间接入Rlim时，其OCP会减小，OCP的取值大小如表2所列。当电流高于OCP时，其内部的NMOS会关断，且／FIAG会置低，同时NCP370会通知微控制器来对故障进行处理，并禁止反向充电模式。

通过NCP370内部的热关断保护电路，可在温度过高时关断内部MOSFET，从而及时为器件降温。NCP370所允许的最高热关断值为150℃，超过这个温度，FLAG就会置低，并通知MCU。但是，由于NCP370芯片还具有30℃的热滞，因此，只有在温度低于120℃时，其芯片内部的MOSFET才能开启；而在高于120℃时，NCP370会一直处于热关断状态。此后，故障消除，芯片即可恢复正常工作。 NCP370在OUT端内部集成有2个低RDS(on)的N沟道MOS管，可用以实现对OUT端外系统在过压、负向电压及反向电流下的保护。通常，N沟道MOS管的这种RDS(on)特性会在OUT端引入少量损耗。

4 结束语
NCP370是安森美半导体公司针对便携式应用系统产品最新推出的重要器件，该器件可为手机、数码相机、MP3／4、个人数字助理(PDA)和GPS系统提供28 V的正向及负向过压和过流保护(OVP)。此外，NCP370还提供有“反向”模式，可实现便携式设备电池中反向电流的稳流，故可广泛用于便携式设备底部连接器上FM收发器以及音频和闪光等功能附件电路的供电。