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IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理

作者:时间:2010-12-16来源:网络收藏


各引脚功能如下:
脚1(VIN+)正向信号输入;
脚2(VIN-)反向信号输入;
脚3(VCG1)接输入电源;
脚4(GND)输入端的地;
脚5(RESERT)芯片复位输入端;
脚6(FAULT) 故障输出,当发生故障(输出正向电压欠压或短路)时,通过光耦输出故障信号;
脚7(VLED1+)光耦测试引脚,悬挂;
脚8(VLED1-)接地;
脚9,脚10(VEE)给提供反向偏置电压;
脚11(VOUT)输出信号以
脚12(VC)三级达林顿管集电极电源;
脚13(VCC2)电压源;
脚14(DESAT) IGBT短路电流检测;
脚15(VLED2+)光耦测试引脚,悬挂;
脚16(VE)输出基准地。

其工作如图1所示。若VIN+正常输入,脚14没有过流信号,且VCC2-VE=12v即输出正向驱动电压正常,驱动信号输出高电平,故障信号和欠压信号输出低电平。首先3路信号共同输入到JP3,D点低电平,B点也为低电平,50×DMOS处于关断状态。此时JP1的输入的4个状态从上至下依次为低、高、低、低,A点高电平,驱动三级达林顿管导通,IGBT也随之开通。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/180106.htm


若IGBT出现过流信号(脚14检测到IGBT集电极上电压=7V),而输入驱动信号继续加在脚1,欠压信号为低电平,B点输出低电平,三级达林顿管被关断,1×DMOS导通,IGBT栅射集之间的电压慢慢放掉,实现慢降栅压。当VOUT=2V时,即VOUT输出低电平,C点变为低电平,B点为高电平,50×DMOS导通,IGBT栅射集迅速放电。故障线上信号通过光耦,再经过RS触发器,Q输出高电平,使输入光耦被封锁。同理可以分析只欠压的情况和即欠压又过流的情况。

3.2驱动设计

驱动及参数如图3所示。

 

HCPL-316J左边的VIN+,FAULT和RESET分别与微机相连。R7,R8,R9,D5,D6和C12 起输入作用,防止过高的输入电压损坏IGBT,但是会产生约1µs延时,在开关频率超过100kHz时不适合使用。Q3最主要起互锁作用,当两路PWM信号(同一桥臂)都为高电平时,Q3导通,把输入电平拉低,使输出端也为低电平。图3中的互锁信号Interlock,和Interlock2分别与另外一个316J Interlock2和Interlock1相连。R1和C2起到了对故障信号的放大和滤波,当有干扰信号后,能让微机正确接受信息。

在输出端,R5和C7关系到IGBT开通的快慢和开关损耗,增加C7可以明显地减小dic/dt。首先计算栅极电阻:其中ION为开通时注入IGBT的栅极电流。为使IGBT迅速开通,设计,IONMAX值为20A。输出低电平VOL=2v。可得

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