采用新型IGBT优化软开关应用中的损耗
电压谐振电路里的RC-IGBT
对于190V~240V交流输入电压而言,RC-IGBT具有低饱和压降和正向电压:
1. 对于1.8kW的应用:IHW15N120R2(Vce=1,200V, Ic=15A@Tc=100℃);
2. 对于2.0kW的应用:IHW20N120R2(Vce=1,200V, Ic=20A@Tc=100℃);
3. 对于2.2kW的应用:IHW25N120R2(Vce=1,200V, Ic=25A@Tc=100℃);
4. 对于2.4kW的应用:IHW30N120R2(Vce=1,200V, Ic=30A@Tc=100℃)。
为了测量IGBT的集电极电流Ice,应在发射极和地之间使用超低阻值的取样电阻器。图11为Vce和Ic的波形(搪瓷烧锅负载)。工作频率为29.1kHz,LC电路在谐振范围之外(电磁炉的温度模式为50℃)。
图11: 1.8kW电磁炉应用(IHW20N120R2)的电压谐振电路波形
本文小结
针对软开关应用进行优化的RC-IGBT技术可大幅度降低饱和压降造成的损耗。最大结温提升到175℃进一步增强了芯片的电流能力。关断开关损耗以及发射极关断电流几乎没有变化。
电磁炉相关文章:电磁炉原理
评论