频率可自动调节的高线性度低通滤波器设计
为了提高线性度， 本文采用改进型R-MOS结构， 图2所示是其原理图。这种结构的优点是电阻和MOS管之间的分压作用可使MOS管两端的电压变小， 从而改善图1中的线性度。在这种结构中， 处于线性区的MOS管更像一个电流舵器件而不是一个电阻器件。它的等效电阻如下：
图2 改进型R-MOS可变电阻原理图
式中， 
是M1、M2、M3、M4的平均跨导， VCM是由自动调节电路确定的控制共模电压。其计算公式如下：
2.1 基于反馈的线性度提高技术
滤波器是由积分器实现的。当积分器有两个输入时， 通常会形成反馈。图3所示是应用线性度提高技术的一阶滤波器结构。该结构把由MOS和运放组成的积分器看成一个整体， 它的环路增益为
， 这个增益在低频时和运放的直流增益相等， 故其整体传输函数如下：
图3 R-MOS-C一阶滤波器结构图
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