利用屏蔽栅极功率 MOSFET 技术降低传导和开关损耗

图4 在20A Rds(on) 5.7mΩ的相同条件下，传统沟槽器件和屏蔽栅极沟槽器件在20A/50V时的Qg曲线的比较

另外，屏蔽层及其阻抗相当于一个内建缓冲电阻(snubbing resistance，(Rshield))－电容(Cdshield)网络，如图3中的Coss分量所描述。这个缓冲网络可减慢开关从低压向高压的转换速度。屏蔽栅极的这一特性有助于减少开关转换期间的EMI、dv/dt引起的误导通和雪崩效应。

DC/DC 1/16砖模块的性能提高
在输入电压48V、输出3.3V、工作频率400kHz、电流范围10～20A的隔离DC/DC转换器初级端中，对飞兆半导体FDMS86252 150V屏蔽栅极MOSFET与同类产品进行比较。结果如图5所示。从图中可看到，由于采用了屏蔽栅极技术，FDMS86252的效率最少可提高0.4%，这就意味着至少0.32W的功率节省，看似微不足道，但对DC/DC设计来说却至关重要，因为要满足相关规范要求，每一个百分点的效率提高都非常珍贵。

图5 在一个48VVIN，3.3VVOUT，400kHz工作频率的隔离DC/DC转换器中，飞兆半导体FDMS86252 150V屏蔽栅极MOSFET与同类产品的比较

总结
相比前几代技术，飞兆半导体新推出的PowerTrench MOSFET技术具有更好的Rds(on)和Qg。这种技术让电源设计人员能够把效率和功率密度提高到一个新的水平。