TinySwitch II系列第二代微型单片开关电源的原理
（3）将TinySwitch的使能端（EN）改为双功能引出
端“使能／欠压端”（EN／UV）。正常工作时由此端控制内部功率MOSFET的通断，该端还可用于输入欠压检测信号。另外，在旁路端（BP）内部还增加了6.3V的钳位保护电路。
（4）新增加了开关频率抖动（frequencyjittering）
功能，能滤除浸过清漆的普通高频变压器产生的音频噪声，并防止电源的开关噪声，还能快速上电而无过冲现象。TinySwitch?II的开／关控制器的调节速度比一般的脉宽调制器（PWM）更快，对纹波的抑制能力更佳。
（5）功率MOSFET漏极的极限电流ILIMIT的容
许偏差小。例如TNY264P／G的容许偏差仅为250±17mA，相对偏差减小到（±17／250）％=±6.8％；而TNY254P／G的容差为255±25mA，相对偏差达（±25／255）％=±9.8％。这表明，用TNY264P／G代替TNY254P／G来设计开关电源时，由于TNY264P／G不需要留出过多的极限电流余量，因此在相同输入功率／输出电压的条件下，输出功率要高于TNY254P／G，并且能降低外围元件的成本。
1.3TinySwitch?II与TinySwich的性能比较
TinySwitch?II与TinySwich系列产品的性能比较见表2。
2.1管脚功能
TinySwitch?II系列产品的引脚排列如图1所示，它采用双列直插式封装（DIP?8B）或表面贴片式封装（SMD?8B），但实际引出端只有7个。由于第6脚未引出，从而增加了漏极与源极的安全距离。考虑到它有4个源极端S，故等效于四端器件。4个源极被划分成两组：两个S端需接控制电路的公共端，两个S（HVRTN）端则接高压返回端，它们都与内部MOSFET的源极连通。D为内部功率MOSFET的漏极引出端，为启动和稳定工作提供了内部工作电流。BP为旁路端，接外部0.1μF的旁路电容。正常工作时，由EN/UV端来控制内部功率MOSFET的通断。超载时，从EN/UV端流出的电流大于240μA，强迫功率MOSEFT关断。若该端经一只2MΩ电阻接输入直流高压UI，即可对UI进行欠压检测，不接电阻时无此项功能。
图2TinySwitch?II的功能框图
图3频率抖动的波形
2.2工作原理
TinySwitch?II内部集成了一个耐压为700V的功率MOSFET和一个开／关控制器。与传统的PWM控制器不同，它采用一个简单的开/关控制器来调节输出电压。其功能框图如图2所示。主要包括振荡器，5.8V稳压器，旁路端钳位用的6.3V稳压管，使能检测与逻辑电路，极限电流状态机，欠压、过流及过热保护电路，自动重启动计数器。此外，EN／UV的内部电路中还增加了一个源极跟随器。由图2可见，能够控制MOSFET关断的电路有以下几种：BP端欠压比较器，过流比较器，过热保护电路，前沿闭锁电路，最大占空比信号Dmax，EN／UV控制端。它们之间呈“逻辑或”的关系，任何一路均可单独将MOSFET关断。
TinySwitch?II一般工作在极限电流的模式下。启动时，在每个时钟周期开始时刻，TinySwitch?II对EN／UV端进行取样，再根据取样结果来决定是否跳过周期以及跳过多少个周期，同时确定适当的极限电流阈值。当漏极电流ID逐渐升高并达到ILIMIT值或者占空比达到最大值Dmax时，使MOSFET关断。满载时TinySwitch?II在大部分周期内导通；中等负载时则要跳过一部分周期并开始降低ILIMIT值，以维持输出电压稳定。轻载或空载时，则几乎要跳过所有周期，并且进一步降低ILIMIT值，使功率MOSFET仅在很少时间内导通，以维持电源正常工作所必须的能量。
EN／UV端一般由光耦合器驱动。光耦合器中接收管的集电极连到EN／UV端，发射极则接源极。光耦合器与稳压管串联在稳压输出端，输出电压UO就等于光耦合器内部发光二极管（LED）正向压降UF与稳压管稳定电压UZ之和。当UO↑时，LED开始导通，将EN／UV脚电压置成低电平，使功率MOSEFT关断，通过减小占空比来使UO↓，最终达到稳压目的。为改善稳压性能，亦可用可调式精密并联稳压器TL431来代替普通的稳压管。
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