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为什么要选择反激拓扑结构?

作者:时间:2011-05-12来源:网络收藏
次级mosfet

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/179115.htm

  次级mosfet都是零电压开通关断,不存在开关损耗

  

  次级mosfet的导通损耗同样限制了反激在大功率场合的运用,mosfet体内二极管的反向恢复同样产生损耗,值得注意的是这个损耗源于次级,发生在初级mosfet,计算公式如下

  

  考虑到半桥的占空比D可以是0.9,所以以上三个公式基本上没有区别。

  3、磁性器件。反激的变压器等效理想变压器和电感器的结合,不知道该如何正激和半桥的磁性器件比较,这里只讨论下反激变压器中漏感的影响大。具体分析见EXEL中《磁性器件》页面

  4、电容。同样关心电容的电流应力和电压。电压应力没什么区别。

  

  输入电容电流应力基本没有区别,输出电容上反激的电流应力很糟糕,但需要注意的是,输出电容的电流应力与输出电流成正比,与输出功率并没有直接关系,正激和半桥的输出电容电流应力为0是因为电感假设为无穷大,实际值与△I有关。

  5、总结:通过以上分析,反激不适合大功率引用原因如下:

  初级mosfet开关损耗

  次级mosfet导通损耗

  变压器漏感导致的损耗

  输出电容电流应力

  上面的计算基于输入电压恒定为60V,但实际情况是25~125V。这个情况下,反激显示出它的优势,可能更恰当的说应该是正激、半桥变得更加难以设计,其原因在于占空比变化过大,导致次级开关管电压应力大,同时初级mosfet的开关损耗可能超过反激

  因为功率为400W,我考虑三个方案:全桥,双相交错有源嵌位正激或反激。全桥初级需要四个mosfet,且驱动要浮驱,比较难找到合适的驱动芯片;双相交错有源嵌位正激需要两个N管,两个P管,同样有驱动芯片难找的问题;同时因为以前没有做过反激,对反激比较感兴趣,在一个以前的同事建议下双相交错反激。后来事实证明我当时错误估计了漏感的影响,导致了使用复杂的吸收电路。


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