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最新全能数控电源IC―ADP1043A(三)

作者:时间:2011-08-22来源:网络收藏

摘要:随着数字技术的发展和成熟,产品更多地向数字化方向发展。采用数字技术可减小高频谐波干扰和非线性失真,同时便于CPU数字化控制。文中重点介绍了的功能、原理及具体应用细节。的创新架构能支持多种拓扑结构,其图形化的操作界面、丰富的监控和管理功能,非常方便技术人员操作,也改变了以往对数字的认识。
关键词:;EEPROM;OrFET控制;同步整流(上接第6期)

2.16 OrFET控制
栅控制信号驱动外部的OrFET。OrFET的栅控用从另外一个电源浮动入本电源的来,这可以确保功率电流仅从电源输出端给出且为插线模式。OrFET电路仅在ADP1043A接到低边检测电阻时才使用,OrFET电路对高边电流检测时没有用处。
GATE端为一个漏极开路的N沟MOSFET。推荐外部使用2.2kΩ上控电阻,其输出通常为高,以保持OrFET关断,当启动电路实现以后,GATE输出拉底,允许OrFET导通。OrFET导通和关断阈值可以独立调节,GATE输出是CMOS电平(0~3.3V),需要一个外部驱动器来开关该MOSFET。
OnMOSFET可以用三种方法关断:故障标志、快速OrFET控制电路、精确的OrFET控制电路。
快速OrFET控制有反向电压跨越CS2+和CS2-用一个模拟比较器执行,如图10所示。如果CS2+和CS2-之间的电压差大于快速OrFET的阈值,调节寄存器0*30,OrFET即可关断。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/178710.htm

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精确的OrFET控制还是用跨越CS2+和CS2-的反转电压去禁止OrFET。如果CS2+和CS2-之间的电压差大于OmV,则OrFET也被禁止,精确的OrFET电路可以更精确,但要比快速的OrFET电流慢。OrFET导通电路要有VS1和VS2之间的电压差,当从VS1到VS2的正向压降大于OrFET使能阈值时,则OrFET使能。OrFET的使能阈值可以设置到正常输出电压的-0.5%、0%、1%或者2%。


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