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准谐振反激式电源架构及应用

作者:时间:2011-08-29来源:网络收藏

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/178671.htm

  图4 MOSFET漏-源电压

  准或谷值开关的优势

  在反激式设计中采用准或谷值开关方案有着若干优势。

  降低导通损耗

  这种设计为设计人员提供了较低的导通损耗。由于FET转换具有最小的漏源电压,在某些情况下甚至为零,故可以减小甚至消除导通电流尖峰。这减轻了MOSFET的压力以及的EMI。

  降低关断损耗

  准也意味着更小的关断损耗。由于规定FET会在谷值处进行转换,在某些情况下,可能会增加额外的漏源电容,以减低漏源电压的上升速度。较慢的漏源电压上升时间会减少FET关断时漏级电流和漏源电压之间的电压/电流交迭,使到MOSFET的功耗更少,从而降低其温度及增强其可靠性。

  减少EMI

  导通电流尖峰的减小或消除以及较慢的漏源电压上升速度都会减少EMI。一般而言,这就允许减少EMI滤波器的使用数量,从而降低成本。

  结语

  利用准谐振技术可以协助设计人员实现这些目标。准谐振或谷底开关能减轻MOSFET的压力,从而提高其可靠性。利用准谐振技术,由于波形的谐波含量降低,电源的EMI因此得以减少。


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关键词: 应用 架构 电源 谐振

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