TOP246-TOP249系列单片开关电源应用

精密光耦反馈电路由IC2、IC3等组成。输出电压UO通过电阻分压器R4～R6获得取样电压，与TL431中的2.50V基准电压进行比较后产生误差电压，再经过光耦去改变TOP249Y的控制端电流IC，使占空比发生变化，进而调节UO保持不变。反馈绕组的输出电压经VD4、C15整流滤波后，给光耦中的接收管提供偏压。C5还与R8一起构成尖峰电压滤波器，使偏置电压在负载较重时能保持恒定。R7、C9、C10和R3、C5、C8均为控制环路的补偿元件。

2由TOP249Y构成的DC／DC变换式250W

开关电源

该DC／DC变换式开关电源采用一片TOP249Y，输入为250V～380V直流电压，输出为48V、5.2A（250W），电源效率可达84％。其电路如图2所示。C1为高频滤波电容，专门抑制从输入端引入的电磁干扰。由于TOP249工作在它的功率上限，因此需将X端与源极S短接，把极限电流设置为内部最大值，即ILIMIT=ILIMIT（max）=5.7A。在L端到UI之间接一只2MΩ的电阻R1，可进行线路检测。若UI>450V，则TOP249Y停止工作，直到电压恢复正常。这就有效地防止了元器件损坏。

由于初级电流较大，须采取以下措施：第一，采用低泄漏电感的高频变压器并在初、次级之间增加屏蔽层，将漏感减至最小；第二，在钳位保护电路中的瞬态电压抑制器两端并联阻容元件R2、R3、C6，构成保护功能完善的VDZ1、VD1、R、C型钳位及吸收电路，以便吸收掉漏感上较大的磁场能量。这种设计的优点在于，正常工作时VDZ1的损耗非常小，泄漏磁场能量主要由R2和R3分担；VDZ1的关键作用是限制在起动（或过载）情况下的尖峰电压，确保内部MOSFET的漏极电压低于700V。

次级绕组电压首先经过VD2、C9、C10和C11整流、滤波，再通过L2、C12滤除开关噪声之后，获得稳定的直流输出电压UO。为减小滤波电容的等效电感，现将C9、C10和C11作并联使用。稳压管VDZ2、VDZ3和VDZ4的稳压值分别为22V、12V、12V，串联后的总稳压值UZ=46V，稳定电流IZ≈10mA。设光耦中红外发光二极管LED的正向压降为UF，输出电压由下式确定：

图2-250W开关电源电路

UO=UZ＋UF＋UR6≈46V＋1V＋10mA×100Ω=48V

R6是LED的限流电阻，它还决定控制环路的增益。二极管VD4和电容C14构成软起动电路。刚上电时，由于C14两端压降不能突变，致使VD6因负极接低电平而导通，此时稳压管不工作。随着C14被充电，其两端的压降不断升高，又使VD4变成截止状态，输出电压才建立起来。掉电后，C14上的电荷就经过R9泄放掉。C13和R8为高压控制回路的频率补偿元件。为了保证TOP249Y能在满载情况下正常输出，必须给TOP249Y加上面积足够大的散热器，使芯片即使在低压输入或最高环境温度下工作，芯片的最高结温也不超过110℃（仅对Y封装而言，其他封装均不得超过100℃）。若受安装条件限制，无法加装大散热器，则必须进行通风降温。

3由TOP246Y构成的45W多路输出式开关

电源