新闻中心

EEPW首页 > 电源与新能源 > 设计应用 > 逆变H桥IGBT单管驱动+保护详解

逆变H桥IGBT单管驱动+保护详解

作者:时间:2011-12-29来源:网络收藏


如上图所示,当上官开通的时候,此时是截止的,由于上官开通的时候,这个时候要引入DV/DT的概念,这个比较抽象,先不管它,简单通俗的说就是上管开通的时候,上管等效为直通了,+DC400V电压立马加入到下管的C级上,这么高的电压立刻从的寄生电容上通过产生一个感应电流,这个感应电流上图有公式计算,这个电流在RG电阻和内阻的共同作用下,在下管的栅极上构成一个尖峰电压,如上面那个示波器的截图所示。到目前为止,没有引入米勒电容的概念,理解了这些,然后对着规格书一看,米勒电容是什么,对电路有何影响,就容易理解多了。



上一页 1 2 下一页

评论


相关推荐

技术专区

关闭