电子风扇专用无刷直流电机关键技术的研究

如图4所示，MOSFET上桥高端驱动，由于MOSFET分布电容的存在，对IRF4905的充放电过程都要经过一个2 kΩ电阻。这样就不能在门极-源极之间对电容Ciss进行快速的充放电，不能活用MOSFET的高速开关性能。改进方案如图5所示，首先采用自举电路这样既可以确保门极-源极之间的电压在IRF4905的承受范围之内，又有利于电压的稳定。第二采用了推挽电路，利用NPN／PNP型晶体管的互补推挽电路，提高门极电流的驱动能力。充放电1，2过程不用经过比较大的电阻，直接加速电容的充电过程。
下桥的驱动如图5所示，比较图4可以发现其中增加了一反向二极管和一个加速电容。串联栅极电阻可以使任何MOSFET输入电容和所有栅源电路中的串联引线电感引起的高频振荡得以衰减，如果进入底部驱动输出的负电流超过50 mA则需要二极管。使用附加电容，图腾柱式输出可以增强晶体管截止提供负基极电流。

6 MC33035与MC33039中RT／CT参数的选择
MC33035中的RT／CT参数用于调整MC33035芯片的工作频率，每个振荡周期由基准电压VREF经RT向CT充电，然后CT上电荷通过内部一个晶体管迅速放电而形成锯齿波振荡信号。其工作频率的设定由图6做具体说明。

由图6可以看出当工作频率过高，PWM调节时，下桥的开关速度过高，上升沿和下降沿占整个波型的比列大，损失的能量多，则发热量就大。当工作频率过低，如图4，图5所示，整个PWM调节中关断时间太长，容易产生电机波动。所以必须调整RT／CT使得MC33035的工作频率符合设计要求。
MC33039中的RT／CT参数决定着F／V转换的对应列表，对应表一旦确定，速度控制就按照一定的比列执行，所以要求其中的电阻电容的稳定性要好，精度要高，而一般的贴片陶瓷电容热稳定性比较差，容易造成温漂，所以这里选择了CBB电容，温度系数很小。

7 结语
在实际的电路设计过程中，要根据设计需要参数调整每一个元器件，使得电路符合设计的需要，数据手册中的各类参数只是提供一种设计参考，不能照搬照抄。因为芯片设计者只是在一定情况下做的实验，得到的实验参数，不可能满足所有应用者的要求。