LDO线性稳压器拓扑结构及分类

需要无线标准的新兴市场需要大量的滤波，这为数字处理核心的软件负载带来很大的压力，这将转化为对电源管理器件的高要求和快速响应。这些功能驱使着那些对于数字负载非常重要的主要特性的发展。(图2)线路和负载调整率/瞬态响应是其中首要的功能。这些参数尽管在数据表中通常不太容易找到，但可以通过两种方式来确定：V/I的偏差百分比或实际V/I偏差值。这些值应以一种负载电流为参考基准或以输入电压的变化为参考基准。

图2

电池供电的和低功率的系统具有长期的非工作时间，数字线路稳压器被设计成在这期间进入休眠状态，而在需要时可快速启动。在休眠模式期间，线性稳压器的所有主操作(包括带隙基准)将关闭。重要的是，快速开启时不能导致过冲。线性稳压器的过冲以及克服过冲的能力取决于Iq值，随着Iq值的降低，保持或改进这种能力将会更难。

我们所需的就是能够快速驱动内部电容节点，并且具有可用电流来实现这一点。随着我们进一步降低驱动内部电容节点的可用电流，线性稳压器的反应能力将随之降低。

假定我们设计了一个反应能力足够快的电路，但存在过冲现象，则克服过冲的一种方法就是通过采用电容器来阻滞过冲。结果，这将增加电容负载，并且提高Iq值的需求。

模拟/射频线性稳压器

模拟线性稳压器主要围绕着空中接口的要求驱动。

空中接口是便携式通信的最薄弱环节，因为信号对噪声和信号衰减极为敏感。因此当考虑模拟线性稳压器时，很重要的一点是，器件本身不会在所需的信号中进一步增加噪声，并且抑制其他电源的噪声。模拟稳压器需要良好的抗噪声性能(以有效值VRMS来度量)以及噪声抑制能力(以电源抑制比PSRR的dB值来度量)。

降低噪声

带隙参考和通路晶体管是主要噪声源。增加外部旁路电容器可以降低此噪声，但这会增加成本以及波形系数。也可以在硅片内增加内部电容器，因为晶体管级别的噪声实际上是以下两个因素构成的：热噪声和闪烁噪声。原因是电子相互碰撞，和Si02级别中的电子捕获。

PSRR 是器件抑制另一个稳压组件或噪声源产生噪声的能力，这在模拟环境中相当重要，因为模拟 IC 器件比数字 IC 器件对噪声更敏感。

噪声本身与接地电流具有直接相关性，因为它受晶体管驱动的影响。Mosfet 中的驱动电流越低，闪烁噪声和热噪声越差。较低的驱动又将转换为较低的 Iq 值。

因此，在选择线性稳压器时，必须查看产品详细资料以评估您的独特应用所需的整体性能。