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一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件

作者:时间:2013-06-03来源:网络收藏

图6 trr与通态关系,条件为25°C。将80mΩ、310mΩ和660mΩ 650V CFD2器件与前代基于C3技术的600V CFD对比。

在HID桥上的性能评估

我们还将这些新器件的性能与HID半桥上采用的SPD07N60C3进行了对比。通过采用新一代CoolMOS CFD2器件,可无需使用D2、D3、D4和D5二极管,从而降低了系统成本(图7)。

图7 典型的HID半桥电路。利用全新的CoolMOS(tm) 650V CFD2器件代替T2 和 T3晶体管,无需采用D2 至D5的二极管。

图8为T2 和T3晶体管为SPD07N60C3以及D2、D3、D4和D5二极管使用时,获得的波形。采用这种设置时,我们可获得91.81%的效率。

图8 将SPD07N60C3作为开关和D2至 D5二极管使用时,在T3晶体管关断阶段的电路波形。系统效率达到91.81%。

通过去除与晶体管串联的二极管,可消除额外的正向压降。当开关损耗因存储在MOSFET内的反向恢复电荷而增大时,该解决方案需要MOSFET的内置体二极管具备更出色的性能。具体情况如图9所示。除了开关损耗增大,另一个缺点是MOSFET最终会因高反向恢复电流而受损。

图9 SPD07N60C3(不带D2至D5二极管)在T3晶体管关断阶段的波形。系统效率为89.72%。

采用新一代IPD65R660CFD器件可获得卓越的解决方案。由于这种MOSFET的内置体二极管的性能出众,可不采用D2至D5二极管,从而大幅提高系统效率。具体如图10所示。

图10 IPD65R660CFD(无需D2至D5二极管)在T3晶体管关断阶段的波形。系统效率为92.81%。

新一代IPD65R660CFD器件的内置体二极管的优化结构与极低的反向恢复电荷特性的有机结合,还有助于确保器件的可靠运行。

结论

革命性的CoolMOS 晶体管系列在能效方面树立了行业新标杆。作为高压MOSFET技术的领导者,CoolMOS可大幅降低导通和开关损耗,确保高端电源转换系统实现高密度和高能效。针对应用专门优化的CoolMOS器件适用于消费类产品、可再生能源、通信电源、适配器和其他产品。凭借其出类拔萃的性价比,CoolMOS?成为满足目前不断攀升的能源需求的理想之选。尤其是最新的,代表最高技术含量的高压MOSFET使交流/直流电源系统更高效、更紧凑、更轻更凉。这种高压MOSFET之所以取得这样的成功,得益于其每种封装上具备最低的通态、最快的开关速度和最低的栅极驱动需求。

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关键词: 功率 电阻 测量

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