新闻中心

EEPW首页 > 嵌入式系统 > 设计应用 > Flash Memory作为数据存储器在E5中的应用

Flash Memory作为数据存储器在E5中的应用

作者:时间:2009-04-01来源:网络收藏

在实际中,FastChip自动将 CSL存放在FLASH的SA12,如果这部分需要占用的空间超过64KByte,则向后继续占用SA13,并依此类推;其余SA0~SA11程序代码存放区。实际上程序代码所需要的存储空间并不是总需要那么大,多数情况下甚至少于64KByte。因此我们可以将FLASH中的部分区域划做存储,用于保存需要在掉电或硬件复位后可再恢复的数据。

3. FLASH 做DATA MEMORY的说明
使用FLASH中的部分区域作数据存储,必然涉及到数据的改写。对FLASH而言,在进行数据改写时,必须先将该数据所在的SECTOR完全擦除(ERASE),然后再执行写(WRITE)操作。受FLASH操作的限制,在对FLASH进行EREASE、WRITE操作时,相应部分功能程序代码不可能从FLASH内取得,所以必须预先将它们转移到适当的位置(SRAM),以保证读、写FLASH的程序正常运转,完成这一部分操作完成后,可以恢复从FLASH内取得程序代码继续执行其他功能。
在这些中,内部SRAM由CODE与XDATA地址空间共享。内部有一定容量(64K)的SRAM,故可以从SRAM取得程序代码完成规定的操作。但是这个RAM的容量有限(具体:02-8KByte,E505-16KByte,E512-32KByte,E520-40KByte),而且SRAM本身还必须预留足够的空间中间数据的存放,所以转移到RAM的程序代码应该尽可能精简。
要E5完成对FLASH中部分区间的数据改写,最少必须具有以下两个功能:将程序代码区的内容转移到内部RAM区;完成对FLASH的ERASE、WRITE。
3.1 程序代码转移
按照设计要求,被转移的程序代码所完成的功能是操作FLASH。为保证该部分代码转移至E5内部RAM后能正确运行,代码的绝对起始地址应该为0。
这部分代码应该利用FastChip的CODE BANK存放在单独的BANK内。如一般功能程序占用BANK0~N,则这部分代码存放在BANKN+1。
进行程序代码转移时,需要确定的参数包括:被转移程序代码的首地址、被转移程序代码的长度、被转入区间的首地址。在进行该项工作之前,确认改变地址器的设置不会导致程序运行的混乱。
3.2 Internal RAM区块说明
改写FLASH的功能代码必须在Internal RAM运行,而且起始地址必须是0000,因此,在设计时,Internal RAM的低段区域不要用来保存数据,我们设定该区域长度为4KByte,地址范围0001_0000~0001_0FFF。即其它数据的存取在0001_1000H之上。
3.3 地址
为将FLASH区域内的功能代码转移到Internal RAM指定的位置,我们设置地址器来分别指向:
设置地址映射器DMAP2,使保存有改写FLASH的功能代码的FLASH之SECTOR的地址映射至XDATA区的0000~0FFF。映射器DMAP2各寄存器设置如下:
DMAP2_TAR_00x00 ;源映射区的起始地址
DMAP2_TAR_10x(80+BANK_No) ;源映射区的起始地址
DMAP2_TAR_20x00 ;源映射区的起始地址
DMAP2_ SRC0x00 ;目的映射区的起始地址
DMAP2_ CTL0x2C ;代码长度
设置地址映射器DMAP4,将Internal RAM低4KByte的地址映射至XDATA区的1000~1FFF。映射器DMAP4各寄存器设置如下:
DMAP4_TAR_00x00 ;源映射区的起始地址
DMAP4_TAR_10x01 ;源映射区的起始地址
DMAP4_TAR_20x00 ;源映射区的起始地址
DMAP4_ SRC0x10 ;目的映射区的起始地址
DMAP4_ CTL0x2C ;代码长度
完成上述映射后,就可以将FLASM MEMORY的程序按BYTE TO BYTE的方式COPY到INTERNAL SRAM内执行。当然,这些都是在XDATA中处理的。

4.对FLASH的操作
在这个设计中,感兴趣的是FLASH作数据存储区使用,而不是程序存储区使用时的操作,所以,下面的描述是针对FLASH作数据存储区使用时的关注事项。
在进行操作前,要事先进行地址映射器的配置,使DPTR能正确指向。
读(READ)--类似于标准的RAM。可在任意时候进行。
写(WRITE)--FLASH片内任一位都只能从1写为0,要从0写为1,必须使用擦除操作。
擦除(ERASE)--擦除操作不能针对特定的字节,最少必须以扇区为单位进行,也可以选择将整个器件内的字节全部擦除。
对FLASH的读、擦除操作,必须按照其Datasheet给定的步骤进行。如:
擦除: xxAAA/AA-xx555/55-xxAAA/80-xxAAA/AA-xx555/55-xxAAA/10(整片擦除); xxAAA/AA-xx555/55-xxAAA/80-xxAAA/AA-xx555/55-ADDR/30(按扇区擦除)
很显然,在我们的应用中,不能使用整片擦除操作,只能按需要将要改写的扇区进行擦除以保存我们的数据。
写:xxAAA/AA-xx555/55-xxAAA/A0-PA/PD
写FLASH时,每个命令序列只能写一个字节。其中PA是所要改写的字节的地址,PD是将要写入的内容。

5.总结
在很多场合,如何将数据保护而不受掉电的影响是很重要的。本文作者创新点:说明了在E5微处理器中如何将FALSH MEMORY用与存取、保护数据,提供了FLASH与SRAM在XDATA空间中映射的方法,希望对使用E5 CPU的研发人员能有所帮助。


上一页 1 2 下一页

评论


相关推荐

技术专区

关闭