超大容量存储器K9F2G08U0M及其在管道通径仪中的应用

下面是按页读操作函数的C语言代码。
sbit RdyorBsy=P0^0；
unsigned char xdata * data pK9F；
void PageRead(unsigned int ColAdd，unsigned long
RowAdd，unsigned int len)
{
unsigned int i=0；
unsigned char ColTemp，RowTemp；
ColTemp=(unsigned char)(ColAdd>>8)；
RowTemp=(unsigned char)(RowAdd>>16)；
ColTemp =0x0F；
RowTemp =0x01；

pK9F=0x8002；
* pK9F=0x00；
pK9F=0x8001；
* pK9F=(unsigned char)(ColAdd)；
* pK9F=ColTemp；
* pK9F=(unsigned char)(RowAdd)；
* pK9F=(unsigned char)(RowAdd>>8)；
* pK9F=RowTemp；
pK9F=0x8002；
* pK9F=0x30；

while(RdyorBsy)；
while(!RdyorBsy)；
pK9F=0x8000；
for(i=0；i
OutputData[i]= * pK9F；
}
3.2 页编程
向器件写入数据时先将数据写入数据寄存器中，器件写入操作是基于页进行的，同时允许在一个页编程周期内对一页内的连续部分编程。若不进行擦除，则对同一页的连续部分编程不能超过4次。
器件支持在1页范围内的随机数据输入，由随机输入命令码85H启动，如图6中虚线框内部分所示，在1页范围内可以启动任意多次随机输入操作。数据输入完毕后，写入页编程确认命令10H，将数据寄存器中的内容写入存储区。写入完成后，需要读状态寄存器(通过写入70H实现)判断操作是否成功。若未能成功写入，应将当前块声明为坏块，并进行块数据替换操作，以保证整个系统的可靠性。
此外应注意，同一块内页编程时必须从地址最低的页开始向高地址的页依次编程，页地址随机的页编程是被禁止的。
下面是页编程子函数的C语言代码。