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TEA1520系列单片开关电源的应用电路及设计要点介绍

作者:时间:2012-05-02来源:网络收藏

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/171520.htm

图4 输出功率与开关频率的关系曲线

3

下面。需要指出,时所用的公式与TOPSwitch-Ⅱ有所不同,原因之一是这两种芯片的特性存在差异,原因之二是在设计方法上二者有一定区别。下面以3W精密为例,系列的设计

3.1 开关频率

通过选择振荡电阻与振荡电容值,即可设定开关频率,允许范围是20kHz~200kHz。取R2=7.5kΩ、C5=330pF时,开关频率f≈115kHz,可近似视为100kHz。振荡电容容量的允许范围是220~1000pF,不得小于220pF,否则可能不起振。如取C5=100pF时,欲设计f=200kHz,就无法正常工作。

3.2 高频变压器的设计

1)一次绕组的电感量LP

计算LP的公式为

LP= (1)

式中:IP为一次绕组的峰值电流。

2)磁芯的选择

所选用的磁芯应能满足存储最大能量并留有一定气隙宽度的要求。但二者之间也存在着矛盾,尽管增大气隙宽度可以存储更多的能量,但泄漏电感也会随之增大,因此应做综合考虑。高频变压器所存储的最大能量(EM)由下式确定:

EM=10-6IP2LP (2)

式中:IP、LP的单位分别取mA、mH,EM的单位是mJ。

计算每边留出气隙宽度的公式为

δ= (3)

式中:δ为磁芯每边留出的气隙宽度(单位是mm),一般取0.1~0.3mm;

SJ为磁芯有效截面积(单位是mm2);

BM为最大磁通密度(单位是mT),一般可取275mT,这样在工作时不会进入磁饱和状态。

有关高频变压器磁芯的选择,可参阅表1。磁芯型号中的三组数字,分别表示磁芯的长度、宽度和厚度(单位是mm)。所选择的磁芯应符合下述条件

EM(δ1)≤EM≤EM(δ2) (4)

表1 磁芯的选择

所存储的最大容量EM/mJ磁芯的型号有效截面积SJ/mm2
δ1=0.1mmδ2=0.3mm
0.100.23E13/7/412.40
0.130.33E16/12/519.40
0.140.34E16/8/520.10
0.150.35E13/6/620.20
0.200.45E19/8/522.60
0.210.50E20/10/531.20
0.270.62E20/10/632.00
0.330.78E25/9/638.40
0.380.88E19/8/941.30
0.451.00E25/13/752.00
0.641.40E30/15/760.00
0.741.80E31/13/983.20
0.741.80E32/16/983.00
0.741.80E34/14/980.70
举例说明,现采用E13/7/4型磁芯,查表1可知SJ=12.40mm2。已知LP=1.8mH,BM=275mT,令IP=330mA,分别代入式(2)和式(3),计算出

EM=10-6IP2LP=10-6×3302×1.8=0.19mJ

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