AM-OLED显示驱动芯片中内置SRAM的设计
图3所示是采用低功耗位线技术的改进型SRAM的结构图。该电路结合单端输出来得到SRAM的电路结构。该电路与传统电路的两个不同之处：一是写驱动电路采用单边驱动结构，且增加了一个平衡管来防止数据丢失。而在写操作时，只需对一边位线下拉到低电平来写入数据，另一边位线浮空；二是预充电路只在读操作时充电，在写操作时不充电。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/166194.htm
图4所示是新SRAM结构电路的工作时序图。该电路在读操作时，Prech变低，预充电路位线充电到高电平，字线变高，位线BLB通过存储管放电到低电位，读取电路读BLB上电压信号，数据读出；而在写操作时，先平衡位线电位，以防止数据丢失。假设原来存储管里存储的是“0”，要向其中写入数据“1”，则写使能信号Wen先从低电平变到高电平，此时D为高电平，D’为低电平，MN1管导通，MN2截止，位线BL悬空，位线BLB被拉到低电平，字线变高，传输管导通，以便向存储管里写入数据“1”。
在字线变高时，同字线上的其它单元的位线BL、BLB会通过存储管里的上拉PMOS管和下拉NMOS管充放电到一定电位。为了防止在写操作时位线充放电过多而导致浪费，可减小字线选择信号的脉宽，以缩短对位线的充电时间。
3 仲裁器模块设计
仲裁器电路分为仲裁和时序产生等两部分，其中仲裁部分处理MCU送来的读写请求和显示控制器送来的读请求信号，并判断它们的优先级别，然后把请求信号送入时序产生电路。时序产生电路负责产生sram模块的控制信号。
3．1 仲裁器电路
仲裁器模块主要用来处理行扫描以及MCU读写产生的时序冲突问题，也就是在这两个信号同时送过来时，先判断它们的优先级，同时将外部两个并行操作信号转化为内部单端口SRAM的顺序执行，从而使两种请求信号处于完全独立的时间操作域内，以减小内置SRAM的面积。鉴于MCU读写速度大于显示行扫描速度，MCU读写信号的优先级别应高于显示读信号。
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