应用于便携及消费产品的安森美半导体完整ESD及EMI保护方案

根据规格，每个元件都有一个通带范围。这些器件的可截止高频范围从700 MHz至6 GHz。

第二类EMI滤波器适用于高速串行接口，功能超过了典型低通滤波器。这类接口是具有固有噪声抑制的差分信号路径，但不会完全免疫来自外部源的共模噪声，或阻止来自辐射到系统其他部分的接口信号。

图6：共模滤波器(CMF)特性

受保护的共模滤波器(pCMF)可以用来消除不必要的共模噪声，也可以防止辐射的有害共模噪声信号从高速接口进入系统的其它部分。同时，它还可以使高速数据通道几乎不受干扰。

除了ESD冲击保护，安森美半导体还提供防止由雷击或功率交叉(power-cross)故障造成浪涌冲击的解决方案。各种消费电子和电信/网络设备中的通用接口都是符合10/100BASE-T和1000BASE-T以太网协议的RJ45接口，其浪涌额定值往往是室内标准。这些接口由四对差分数据线组成，每根线可传输最高250 Mbps的数据速率。这类接口的保护需要确保横向(金属性)浪涌冲击不致损坏敏感的下游芯片（如物理层）。这是通过线至线(每对线)连接分流保护元件(shunt protection element)来转移进入的浪涌能量实现的。

对于较低数据速率(10/100BASE-T)的应用，安森美半导体提供了一种称为TSPD(晶闸管浪涌保护器件)的消弧(crowbar)器件组合，以及用于类似ESD保护的钳位器件。TSPD可提供低钳位电压的优势，并具有较高的浪涌电流能力。例如，这些器件可以满足GR-1089 10/1000 μs标准的要求，因此适合初级端或次级端的保护，也被称为“线端”保护。TVS(瞬态抑制二极管)钳位器件支持8/20 μs脉冲的浪涌级别，通常用于第三级(tertiary)或PHY侧以捕获并安全地消除任何残余浪涌脉冲。

典型电路保护应用示例
智能手机应用是一种比较典型的保护应用，安森美半导体的解决方案包括数据滤波器、ESD保护二极管及阵列和电压保护器件等。消费和便携式应用的USB2.0保护包括高速对、VCC和低电容ESD保护；而USB 3.0则有两个超高速对和一个高速对，以及VCC、低电容ESD保护。eSATA接口有两个高速对和低电容ESD保护。

图7：智能手机框图及需要保护的I/O接口(见右下侧浅蓝色背景区域)

针对4至12线的摄像头和显示器的并行接口，安森美半导体有低通LC滤波器+ ESD保护器件，以及3至5个高速串行通道的共模滤波器+ ESD保护。对于便携式HDMI、消费类HDMI/显示端口，可以采用四个高速对、多达6个额外接口线、低电容ESD+共模滤波器方案。

此外，安森美半导体的保护应用还包括音频(音箱/耳机)、SD接口、SIM卡、键盘EMI抑制、以太网，以及T1/E1、T3/E3和xDSL端口等，可以满足消费类电子产品对强大ESD保护及减少EMI/RFI噪声的更高要求。