基于TMS320 F28335信号处理板的设计与实现
2．2 电源模块设计
整个处理板的外部输入电压为5 V和±12 V，分别通过对应的电压转换芯片为模拟和数字部分提供不同的电压幅值。对于数字部分，电源模块需要为DSC提供1．9 V的核电压，同时为DSC的外围和其他芯片提供3．3 V的外围电压。本系统选用LT1963AES8集成芯片提供1．9 V，LT1963AEST-3．3集成芯片提供3．3 V。对于模拟部分，系统要求输入ADC的信号幅值范围在±12V内，所以系统分别选用LT1086IT-12和LT11 75IT把输入的±15V电压转换成±12V。
2．3 数字电路设计
数字部分电路主要是以DSC为中心的应用电路。该部分主要是对ADC传送的数据进行处理、存储，同时完成DSC同上位机的通信和数据传输。由图1可以看到，它包含以下几个部分。外围SRAM扩展，EEPROM扩展电路，SCI上位机通信接口电路。
2．3．1 外围SRAM扩展
考虑到TMS320F28335片内的RAM资源有限，加上程序空间和数据空间RAM仅为34 kB，16位数据宽度，从而需要对片内的RAM进行扩展，来满足较大量程序的运行。本系统选用Cypress公司的CY7C1011CV33-12ZSXE集成芯片，利用TMS320F28335提供的XINTF接口完成片外RAM的扩展。
XINTF是TMS320F28335所提供的一个非复用异步总线，用来完成外部异步器件的扩展。XINTF可以映射外设到3个固定的内存映射区域，当外部资源挂接到某个区域时，则需要通过XINTF的一个片选信号来进行外部资源的选定。
CY7C1011CV33-12ZSXE是一个CMOS的静态RAM存储器，其容量大小为64 kB，16位数据宽度。图2是外围SRAM扩展电路连接图。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/161948.htm
如图2所示，本系统选用ZONE7区域作为RAM的外围扩展。DSC通过其XZCS7管脚向片外SRAM发送片选信号。WE信号用来控制DSC对片外SRAM的读写，当DSC的XWEo管脚为低电平，则DSC对片外RAM进行读写操作；XWEo为高电平，同时DSC的XRD管脚为低电平，则为读操作。
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