双面接触式电容压力传感器原理介绍

　　要得到好的键合效果，在进行晶体键合前，要对3块晶片的表面进行处理，特别是晶体B,要用机械抛光的方法进行，否则由于重掺杂硼的晶体表面粗糙度太高，键合时会由于晶体表面的内应力使晶体弯曲，表面不平，常有空气泡被封在里面，这使键合的效果不好，要得到好的键合效果就要使表面尽量光滑而且尽量平坦。在键合时，首先在晶体的边缘进行键合，如果在空气中键合，晶体的中间会有残留的空气，这些残留的空气泡在高温下会膨胀，有可能把两片晶体分开。为解决这个问题可在真空中键合;另一个办法是同时在另一面也进行硼扩散来减少它的弯曲，因为两面硼扩散的厚度如果一样的话，晶体的变形会最小。

　　对于电容压力传感器，硅梁的扩散厚度需要精确控制，P+重掺杂自停止腐蚀法及PN结自停止腐蚀来控制扩散精度。P+重掺杂自停止腐蚀主要是利用当硼在硅中的浓度超过1019时，硅的腐蚀速率将大大减小，这是各向异性腐蚀的一个特性。各向异性腐蚀与晶体的晶向和掺杂浓度有关。腐蚀速率大部分取决于晶体的晶向，这个特性在腐蚀100>晶向的晶体时会得到V形槽，110>晶体得到U形槽。晶体的腐蚀速率取决于3个因素：晶体的类型、溶液的浓度及温100>和111>的腐蚀速率比值为50∶30∶1,在室温下比值为160∶100∶1。腐蚀速率对温度非常敏感，要注意控制腐蚀液的温度。溶液的浓度也会影响腐蚀速率，但不是线性的。在10℃左右，腐蚀速率最大，而且当溶液的浓度逐渐增加时，腐蚀速率会慢慢降下来。

　　查阅资料，当溶液的浓度在10%～15%时，晶体的腐蚀速率最大。溶液的浓度很低时，晶体表面会产生一系列小洞。

　　4　结论

　　制造的成本与单面相当。具有单面接触式电容压力传感器所具有的优点：低温漂，高灵敏度，受环境影响小，对分布电容不敏感。对于同样大小的器件，双面接触式电容压力传感器的电容量和灵敏度高出单面1倍。