双面接触式电容压力传感器原理介绍

　　2.3.1　硅熔融键合

　　在键合之前，所有晶片都要进行清洗，把晶体表面上的灰尘微粒洗掉，接着晶片在室温下键合在一起，然后把这对晶片放在1000℃的纯氮环境下进行退火键合。

　　图2

　　2.3.2 硅蚀刻

　　首先利用离子刻蚀把原先为减少凹凸不平而重掺杂的浓硼扩散层刻蚀掉，这一步也可用机械抛光法来进行。刻蚀掉这一层后，接着要把梁刻蚀出来，可用腐蚀的办法来进行，用10%的KOH来腐蚀，前面的350μm在90℃的KOH中腐蚀，后面的50μm在50℃的KOH中腐蚀，以便得到更好的蚀刻选择性。

　　2.3.3　开一个引线窗口和排气窗口

　　引线窗口主要是在这个窗口中先淀积上一层金属，然后从这一层金属中引出电容的极板引线。要刻蚀出这个窗口可以在晶片上布一层掩膜，然后利用离子刻蚀法刻出这个窗口，同理，排气窗口也可以这样刻蚀。排泄窗口是为了使封装的腔为真空而设计的。

　　2.3.4　封装腔

　　排气窗口刻蚀出以后，用LTO封装这个排气窗口，用LTO封装以后，腔里的空气压力几乎为零。那么这个传感器就可以测绝对压力。

　　2.3.5　刻蚀出梁和引线窗口

　　在BHF溶液中腐蚀出梁和引线窗口，腐蚀掉链接层的LTO和SiO2。

　　2.3.6　金属化处理

　　在引线窗口溅射上300nm的Al/Si/Cu金属层。

　　2.3.7　切割和测试

　　完成后的晶体能够被切割和测试。

　　图3