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MEMS和信号调理实现扩散硅压力传感器

作者:时间:2011-09-13来源:网络收藏
在宽温度范围内实测校准后的有效抑制了温度变化对其产生的影响。如图7所示的多只标准输出的宽温度校准数据曲线:不难看出,在宽温度工作环境下采用此法校准的的读出温度误差约为1%一2%FS,达到宽温度的高精度测量要求,且通过多通道的通讯接口进行校准的方法与批量制造技术兼容,制造车用传感器的高性价比的要求。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/161497.htm

  

图7多传感器宽温度校准数据曲线

  图7多传感器宽温度校准数据曲线

  3综合封装与结论

  将传感器与电路板封装在一个直径23mm高27.5mm的不锈钢金属壳体内并且在传感器的一端使用接插件的方式作为连接,方便测试及维护。总体封装后如图8所示。

  

图8总体封装外观图

  图8总体封装外观图

  该硅压阻汽车传感器在技术、封装技术与信息技术的结合下成为一个具备高性价比的实用化产品。是当代先进技术的结合,值得重视其发展。


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