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L波段宽带低相噪VCO的设计与制作

作者:时间:2009-04-16来源:网络收藏

由于在仿真时仅仅进行了电路仿真,许多的寄生效应没有考虑,在较宽频带内得到的仿真结果与实际情况在数值上有一定差别,但是它可以方便地给出各种元件组合所能达到的效果,此外仿真还能给出有无寄生振荡等其他信息。

4 电路及测试结果分析
在CAD软件仿真的基础上,进行实物。利用此种电路拓扑,通过选择不同形状大小的微带电感和变容管元件,开发出了800~1 600 MHz、1 000~2 000 MHz、1 200~2 100 MHz三种产品。图5给出了l 000~2 000 MHz 的实物图,图6给出了1000~2 000 MHz 在VT=6 V时的实测曲线。在偏离载频10 kHz处相位噪声为一102 dBc/Hz。由于大幅提高了谐振电路的Q值,其相位噪声较原有的基于薄膜工艺的同类产品提高了5 dB以上。同时由于采用了双端口调谐及可变电容反馈的引入,使其能在倍频程带宽内稳定地工作。

5 结论
此种电路结构在双端口调谐的基础上,通过引入可变电容反馈,实现了电路的超。合理选择谐振器电容电感比,并利用在低损耗的介质基板上实现小的电感以获得高Q的谐振器,从而降低了VCO相位噪声。基于此方法能够较为方便地实现L系列VCO,基于此法开发出的三种宽带低VCO产品已经获得了应用。


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