基于SiGe HBT的射频有源电感的设计
负电感由符号相同的跨导放大器级联反馈构成。即分别由共射放大器与共射放大器(CE - CE)级联反馈构成以及由共基放大器与共集放大器(CB- CC)级联反馈构成的有源电感，如图3所示。
若用gm1、gm2分别表示上图中晶体管Q1 与Q2的跨导， Cbe1、Cbe2分别表示其基极与发射极之间的电容。根据二端口网络的策动点导纳， 即网络的输入导纳:
由电路分析可得，四种有源电感电路的输入导纳分别表示如下:
共基放大器与共射放大器级联反馈构成的有源电感的输入导纳:
共射放大器与共集放大器级联反馈构成的有源电感的输入导纳:
共射放大器与共射放大器级联反馈构成的有源电感的输入导纳:
共基放大器与共集放大器级联反馈构成的有源电感的输入导纳:
从上述公式(3) - (6)看出，正电感的等效输入阻抗分别由一个电容，和一个电阻及一个电感相并联构成。负电感的输入阻抗相对于正电感，缺少一个并联电阻。即理论上，负电感是无损耗的有源电感。其中，CE2CC正有源电感的电感值随着频率的增加而增加。
CB2CC负有源电感的电感值的大小随着频率的增加而减小。在同样的偏置条件下， CE2CC有源电感的电感值较其他三种有源电感的电感值最大。此外，并联电阻与晶体管Q1 的跨导gm1有关，故增大跨导gm1 ，有利于减小有源电感的损耗，但是，同时降低了有源电感的电感值。因此，设计性能优良的有源电感，跨导gm1需要折中考虑。若减小晶体管Q2 的跨导gm2 ，电感值L随之增大，但并不影响并联电阻值的大小，从而增加有源电感的品质因数。此外，自谐振频率与输入阻抗中的并联电容有关，即晶体管内部的基极与发射极之间的电容Cbe有关，若输出端口外接大小不同的电容值C，则可以控制有源电感自谐振频率，进而改变有源电感的工作频率范围。
2 电路设计方法及仿真
2. 1 仿真设计
采用捷智Jazz 0. 35μm SiGe BiCMOS工艺，利用射频仿真软件ADS (Advanced Design SySTem) ，对所设计的有源电感的电路进行仿真验证。首先，为SiGe HBT(异质结双极性晶体管)选取相同的合适的静态工作点，设置基极偏置电流为20μA，集电极偏置电流为3 mA，器件的截止频率为55 GHz。
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